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1. (WO1993018458) DISPOSITIF D'ANTEMEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018458 N° de la demande internationale : PCT/FR1993/000212
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 02.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 09.09.1993
CIB :
G06F 12/08 (2006.01) ,G06F 12/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
08
dans des systèmes de mémoires hiérarchiques, p.ex. systèmes de mémoire virtuelle
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
08
dans des systèmes de mémoires hiérarchiques, p.ex. systèmes de mémoire virtuelle
12
Commande de remplacement
Déposants :
INRIA INSTITUT NATIONAL DE RECHERCHE EN INFORMATIQUE ET EN AUTOMATIQUE [FR/FR]; Domaine de Voluceau B.P. 105 F-78153 Le Chesnay Cédex, FR (AllExceptUS)
SEZNEC, André [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
SEZNEC, André; FR
Mandataire :
PLAÇAIS, Jean-Yves; Cabinet Netter 40, rue Vignon F-75009 Paris, FR
Données relatives à la priorité :
92/0305413.03.1992FR
Titre (EN) CACHE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ANTEMEMOIRE
Abrégé :
(EN) A cache memory device including an input/output (ESRQ) for receiving a request (REQ) comprising a main address (AP) and optional data (D); an input/output (ESMP) to an addressable main memory (MP) or another addressable cache memory; a plurality of X memory banks (BCi) wherein i is lower than X and higher than 0, each having a number Li of lines for containing data, said lines being individually designated by a local address (AL) in each bank; means for answering a request (REQ) by connecting the main address (AP) in the request to a local address (AL) in the bank (BCi) in accordance with a predetermined law (fi) for each bank (BCi), whereby the line thus designated in the bank (BCi) is the only line to contain the datum referred to by the main address; and means (CHA) for loading the cache memory according to the received requests. At least two predetermined laws (fi) are substantially distinct depending on the banks in question, and the two banks in question are addressed separately, whereby the average cache memory data access hit rate is improved.
(FR) Le dispositif d'antémémoire comprend: une entrée/sortie (ESRQ) pour recevoir une requête (REQ) comprenant une adresse principale (AP) et éventuellement des données (D); une entrée/sortie (ESMP) vers une mémoire principale adressable (MP) ou vers une autre antémémoire adressable; une pluralité de X bancs de mémoires (BCi) avec i inférieur à X et supérieur à 0, ayant chacun un nombre Li lignes aptes à contenir des données, ces lignes étant individuellement désignables par une adresse locale (AL), dans chaque banc; des moyens propres à répondre à une requête (REQ) en reliant par une loi prédéterminée (fi) pour chacun des bancs (BCi), l'adresse principale (AP) que contient cette requête et une adresse locale (AL) dans le banc (BCi), la ligne ainsi désignée dans le banc (BCi) étant la seule ligne dudit banc susceptible de contenir la donnée référencée par l'adresse principale; et des moyens (CHA) pour charger l'antémémoire en fonction des requêtes reçues. Au moins deux des lois prédéterminées (fi) sont sensiblement distinctes suivant les bancs considérés et les deux bancs considérés sont adressés séparément, ce qui améliore le taux moyen de succès lors de l'accès aux données dans l'antémémoire.
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (DE, GB, NL)
Langue de publication : Français (FR)
Langue de dépôt : Français (FR)
Également publié sous:
EP0630498US6272592JPH08504042