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1. (WO1993018437) RESINES PHOTOSENSIBLES PRESENTANT UN FAIBLE NIVEAU D'IONS METALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018437 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001749
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 25.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 20.09.1993
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
022
Quinonediazides
023
Quinonediazides macromoléculaires; Additifs macromoléculaires, p.ex. liants
Déposants :
HOECHST CELANESE CORPORATION [US/US]; Route 202-206 North Somerville, NJ 08876, US
Inventeurs :
RAHMAN, M., Dalil; US
DURHAM, Dana, L.; US
Mandataire :
SAYKO, Andrew, F., Jr.; Hoechst Celanese Corporation 86 Morris Avenue Summit, NJ 07901, US
Données relatives à la priorité :
07/847,45406.03.1992US
07/904,22925.06.1992US
Titre (EN) PHOTORESISTS HAVING A LOW LEVEL OF METAL IONS
(FR) RESINES PHOTOSENSIBLES PRESENTANT UN FAIBLE NIVEAU D'IONS METALLIQUES
Abrégé :
(EN) The present invention provides methods for producing photoresist compositions having a very low level of metal ions, utilizing specially treated ion exchange resins. A method is also provided for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
(FR) L'invention se rapporte à des procédés de production de compositions à base de résidus photosensibles présentant un faible niveau d'ions métalliques dans lesquels sont utilisées des résines échangeuses d'ions ayant reçu un traitement spécial. Un procédé de production de dispositifs à semiconducteurs dans lequel ces compositions à base de résines photosensibles sont utilisées est également décrit,
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0635145JPH07504762KR1019957000561