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1. (WO1993018202) FILMS FERROELECTRIQUES MINCES OBTENUS PAR DEPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018202 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001761
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 26.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 04.10.1993
CIB :
C23C 16/40 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
Déposants :
CERAM INC. [US/US]; 2260 Executive Circle Colorado Springs, CO 80906, US
SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545, JP
VIRGINIA POLYTECHNIC INSTITUTE AND STATE UNIVERSITY [US/US]; Blacksburg, VA 24061, US
Inventeurs :
DESU, Seshu, B.; US
PENG, Chien-Hsiung; US
Mandataire :
BEATON, Glenn, K. ; Beaton & Swanson Suite 403 4582 S. Ulster Street Parkway Denver, CO 80237, US
Données relatives à la priorité :
07/848,38909.03.1992US
07/999,73831.12.1992US
Titre (EN) FERROELECTRIC THIN FILMS MADE BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) FILMS FERROELECTRIQUES MINCES OBTENUS PAR DEPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE
Abrégé :
(EN) A method to produce high quality doped and undoped lead zirconate titanate (PZT) thin films by metalorganic chemical vapor deposition. The PZT films which contains a perovskite structure were deposited on sapphire disks, Pt/Ti/SiO2/Si wafers, and RuOx/SiO2/Si wafers using hot-wall and cold-wall CVD reactors at a deposition temperature of 550 °C and a reduced pressure of 6 torr. Figure 1 shows a schematic of a hot-wall MOCVD apparatus which contains gaseous sources, a three-zone furnace, and a mechanical pump. The source materials include an oxidizing agent and metalorganic precursors such as metal alkoxides, metal acetylacetonates, or metal $g(b)-diketonates. The stoichiometry of the films can be easily controlled by varying the individual precursor temperature and/or the flow rate of the carrier gas. The Pb(Zr0.82Ti0.12)O3 film produced by the present invention shows a spontaneous polarization of 23.3 $g(m)C/cm2, a remanent polarization of 12.3 $g(m)C/cm2, and a coercive field of 64.5 kV/cm.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de films minces de titanate-zirconate de plomb dopés et non dopés de haute qualité au moyen de la déposition organométallique en phase gazeuse par procédé chimique. Ces films de titanate-zirconate de plomb qui contiennent une structure pérovskite ont été déposés sur des disques en saphir, des rondelles Pt/Ti/SiO2/Si et RuOx/SiO2/Si au moyen de réacteurs CVD à paroi chaude ou froide sous vide, à une température de déposition de 550 °C et à une pression réduite de 6 torr. La figure 1 représente un appareil CVDOM qui comprend des alimentations en gaz, un four à trois zones et une pompe mécanique. Les matériaux de départ contiennent un agent d'oxydation et des précurseurs organométalliques tels que des alcoxydes, des acétylacétonates métalliques ou des dicétonates-$g(b) métalliques. On peut facilement maîtriser la st÷chiométrie des films en faisant varier la température individuelle des précurseurs et/ou la vitesse d'écoulement du gaz véhicule. Le film Pb(Zr0,82Ti0,12)O3 obtenu selon ladite invention présente une polarisation spontanée de 23,3 $g(m)C/cm2, une polarisation rémanente de 12,3 $g(m)C/cm2 et un champ coercitif de 64,5 kV/cm.
États désignés : Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0630424