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1. (WO1993018201) PROCEDE D'IMPLANTATION DU PLASMA ET EQUIPEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018201 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001788
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 01.03.1993
CIB :
C23C 14/48 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H01L 21/223 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
48
Implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
223
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
Déposants :
VARIAN ASSOCIATES, INC. [US/US]; 3050 Hansen Way Palo Alto, CA 94304, US
Inventeurs :
FELCH, Susan, B.; US
COOPER, Charles, Burleigh, III; US
SHENG, Terry, Tienyu; US
ROSENBLUM, Stephen, S.; US
Mandataire :
BERKOWITZ, Edward, H.; Varian Associates, Inc. 3100 Hansen Way, E-339 Palo Alto, CA 94304-1030, US
Données relatives à la priorité :
07/844,35302.03.1992US
Titre (EN) PLASMA IMPLANTATION PROCESS AND EQUIPMENT
(FR) PROCEDE D'IMPLANTATION DU PLASMA ET EQUIPEMENT
Abrégé :
(EN) A method and apparatus is provided for ion implantation for large dose, low energy work which does not immerse the target wafer (12) in the plasma (50) and which obtains good sheet resistance uniformity, high production rate and good under 100 nm shallow junction depth control.
(FR) L'invention se rapporte à un procédé et un appareil destiné à l'implantation d'ions à faible puissance et forte dose qui ne requiert pas d'immersion de la tranche cible (12) dans le plasma (50) et qui produit une résistance uniforme de la feuille, un rendement élevé et un contrôle précis de la jonction à une profondeur inférieure à 100 nm.
États désignés : JP, KP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)