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1. (WO1993017501) DISPOSITIF ET SYSTEME DE MEMOIRE DECLENCHEE PAR DOUBLE FRONT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017501 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001423
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 17.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 14.09.1993
CIB :
H03K 3/037 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
3
Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
02
Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
027
par l'utilisation de circuits logiques, avec réaction positive interne ou externe
037
Circuits bistables
Déposants :
VLSI TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1109 McKay Drive San Jose, CA 95131, US
Inventeurs :
STRONG, Richard, M.; US
Mandataire :
WOLFELD, Warren, S.; Fliesler, Dubb, Meyer & Lovejoy Four Embarcadero Center Suite 400 San Francisco, CA 94111-4156, US
Données relatives à la priorité :
838,62519.02.1992US
Titre (EN) DOUBLE-EDGE TRIGGERED MEMORY DEVICE AND SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ET SYSTEME DE MEMOIRE DECLENCHEE PAR DOUBLE FRONT
Abrégé :
(EN) A synchronous machine uses a double-edge triggered memory cell (12) which updates its output (34) on both the rising and falling edges of a clock input (32).
(FR) L'invention concerne une machine synchrone qui utilise une cellule de mémoire déclenchée par double front (12) qui met à jour ses résultats (34) sur les fronts ascendant et descendant d'une entrée d'horloge (32).
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
JPH07504076