Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Une partie du contenu de cette demande n'est pas disponible pour le moment.
Si cette situation persiste, contactez-nous auObservations et contact
1. (WO1993017459) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE REALISEE D'APRES LE PROCEDE
Note: Texte fondé sur des processus automatiques de reconnaissance optique de caractères. Seule la version PDF a une valeur juridique

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit mehreren vertikalen und mindestens einem lateralen Halbleiterbauelement (laterales Halbleiterbauelement [13], vertikales
Halbleiterbauelement [14]), die in einem scheibenförmigen
Halbleiterkörper (1) mit einer ersten und einer ihr
gegenüberl egenden zweiten Oberfläche (erste Oberfläche [2], zweite Oberfläche [3]) integriert sind, wobei unterhalb der ersten Oberfläche das/die lateralen Halbleiterbauelement(e) (13) angeordnet wird/werden und die vertikalen Halbleiterbauelemente (14) sich zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche
erstrecken, mit folgenden Verfahrensschritten:
a) Bilden mindestens einer Teilstruktur (7) mit mindestens einem lateralen Halbleiterbauelement (13) im Innern;
b) Bilden mehrerer dotierter Bereiche (4) und darin eingebetteter Teilbereiche (5) außerhalb der Teilstruktur(en);
c) Umgeben der Teilstruktur (7) mit mindestens einer vertikalen, elektrisch isol erenden Wand (6), die sich bis zu einer
bestimmten Tiefe von der ersten Oberfläche (2) her in den
Halbleiterkörper (1) erstreckt,
d) Vermindern der Dicke des Halbleiterkörpers (1) von der zweiter. Oberfläche (3) her im Bereich der TeilStruktur(en) (7) bis zu der/den isoliernden Wand/Wänden (6), wodurch jeweils eine
Ausnehmung (9) in dem Halbleiterkörper entsteht,
e) Isolieren des Bodens jeder Ausnehmung (9) und
f) strukturiertes Metallisieren und/oder Passivieren der ersten und zweiten Oberfläche (2, 3) derart, daß mindestens ein
laterales Bauelement (13) im Bereich oberhalb des Bodens (11) jeder Ausnehmung (9) und vertikale Bauelemente (14) außerhalb der Ausnehmungen (9) entstehen.

2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Oberfläche (3) eine <100>-Ebene ist, daß die

Ausnehmung(en) (9) durch Ätzen erzeugt werden und daß als
Ätzlösung eine KOH-Lösung verwendet wird, wobei an der/den
Ausnehmung(en) (9) Wände entstehen, die in <111>-Ebenen liegen.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die TeilStruktur(en) (7) mit dem/den lateralen Bauelement(en) (13) in (einem) Bereich(en) (4) liegt/liegen, der/die den entgegengesetzten Leitungstyp wie das Ausgangsmaterial des
Hai bleiterkörpers ( 1 ) aufweist/aufweisen.

4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß in dem/den Bereich(en) (4) Teilbereiche (5) vorbestinrnten Leitungstyps und/oder vorbestinmter Dotierungskon∑entratiσn eingelassen sind, welche den Bauelementtyp bestimmen.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Herstellung der elektrisch isolierenden Wand/Wände (6) entsprechende Gruben durch Plasma-Ätzen erzeugt werden und daß die Gruben anschließend mit einem elektrisch isolierenden Material gefüllt werden.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Boden (11) jeder Ausnehmung (9) mit einer
Siliziumoxidschicht (15) bedeckt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wände (10) und der Boden (11) jeder Ausnehmung (9) mit einer Siliziumoxidschicht (15) bedeckt werden.

to
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Bereiche des Halbleiterkörpers (1), die nicht oxidiert werden sollen, zunächst mit einer Si3N4-Schicht abgedeckt werden, bevor die Siliziumoxidschicht (15) durch thermische Oxidation erzeugt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichne ,
daß die Siliziumoxidschicht (15) mit einer elektrisch nicht leitenden Schicht (16) überzogen wird.

11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ausnehmung(en) (9) zumindest teilweise mit einem
Füllmaterial (21) ausgefüllt wird/werden.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß im Halbleiterkörper (1) wenigstens ein als Testfenster (23) dienender Graben erzeugt wird, der in der Tiefe mit den
Trenngräben (6') für die elektrisch isolierenden Wände (6) übereinstimnt und breiter als diese ausgebildet ist und daß die Dicke des Halbleiterkörpers (1) vermindert wird, bis der Boden des Grabens durchbrochen ist.

//
13. Halbleiterstruktur mit mehreren vertikalen und mindestens einem lateralen Halbleiterbauelement (laterales Halbleiterbauelement [13], vertikales Halbleiterbauelement [14]), die in einem scheibenförmigen Halbleiterkörper (1) mit einer ersten und einer ihr gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (erste Oberfläche [2], zweite Oberfläche [3]) integriert sind, wobei unterhalb der ersten Oberfläche das/die laterale(n) Halbleiterbauelement(e) (13) angeordnet ist/sind und die vertikalen Halbleiterbauelemente (14) sich zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche (2, 3) erstrecken, mit mindestens einer Teilstruktur (7), die von mindestens einer elektrisch isolierenden, vertikalen Wand (6) seitlich umgeben ist und die mindestens ein unterhalb der ersten Oberfläche (2) angeordnetes laterales Halbleiterbauelement (13) enthält, wobei die Wand/Wände (6) sich bis zu einer vorbestiirmten Tiefe von der ersten Oberfläche (2) her in den Halbleiterkörper (1) erstreckt/erstrecken und die Dicke des Halbleiterkörpers (1) von der zweiten Oberfläche (3) her im Bereich der Teilstruktur(en) (7) bis zu der/den isolierenden Wand/Wänden (6) vermindert ist, wodurch eine oder mehrere Ausnehmungen (9) im Halbleiterkörper (1) vorhanden sind, wobei der Boden (11) jeder Ausnehmung (9) mit einer isolierenden Schicht (12) bedeckt ist.

14. Halbleiterstruktur nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß die lateralen Halbleiterbauelemente (13) innerhalb der
TeilStruktur(en) (7) bei Spannungen bis 1200 V betrieben werden.