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1. (WO1993017459) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE REALISEE D'APRES LE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017459 N° de la demande internationale : PCT/EP1993/000319
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 10.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 08.09.1993
CIB :
H01L 21/764 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
764
Espaces d'air
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
Déposants :
DAIMLER-BENZ AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Postfach 80 02 30 D-70546 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
BODENSOHN, Alexander [DE/DE]; DE (UsOnly)
HENKEL, Heinz [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs :
BODENSOHN, Alexander; DE
HENKEL, Heinz; DE
Mandataire :
VOGL, Leo; AEG Aktiengesellschaft Patent- und Lizenzwesen Theodor-Stern-Kai 1 D-6000 Frankfurt/Main 70, DE
Données relatives à la priorité :
P 42 04 004.312.02.1992DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE PRODUCED ACCORDING TO THIS PROCESS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE REALISEE D'APRES LE PROCEDE
Abrégé :
(DE) Es läßt sich neben lateralen Halbleiterbauelementen (13) ein vertikales Halbleiterbauelement (14) auf einem gemeinsamen Halbleiterkörper (1) integrieren, wenn die lateralen Halbleiterbauelemente (13) gegenüber dem vertikalen Halbleiterbauelement (14) durch einen pn-Übergang gegeneinander isoliert sind. Bei dieser Art der Isolierung ist unter anderem nachteilig, daß viel Platz für die Ausbreitung der Raumladungszone des pn-Übergangs belegt wird. Deshalb ist es günstig, eine andere Art der Isolierung vorzunehmen; dazu werden laterale Halbleiterbauelemente (13) enthaltende Teilstrukturen (7) durch isolierende Wände (6) seitlich umgeben. Die Wände reichen bis zu einer bestimmten Tiefe von einer ersten Öberfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) her in diesen hinein; im Bereich der Teilstrukturen (7) ist der Halbleiterkörper (7) von einer zweiten Oberfläche (3) her in seiner Dicke vermindert, und zwar derart, daß eine Ausnehmung (9) entsteht, die bis zu den isolierenden Wänden (6) reicht. Außerhalb der Teilstrukturen (7) lassen sich mehrere vertikale Bauelemente in den Halbleiterkörper integrieren.
(EN) A vertical semiconductor component (14) may be integrated on a common semiconductor body (1) together with lateral semiconductor components (13) the lateral semiconductor components (13) being insulated from the vertical semiconductor component (14) by means of a pn-junction. One of the inconvenients of this type of insulation is that much space is needed for spreading the space charge region of the pn-junction. It is therefore advantageous to insulate in another manner according to which partial structures (7) containing lateral semiconductor components (13) are laterally surrounded by insulating walls (6). These walls extend from a first surface (2) of the semiconductor body (1) down to a determined depth thereof; in the area of the partial structures (7), the semiconductor body (7) has a second surface (3) that reduces its thickness, in the manner of a recess (9) that extends up to the insulating walls (6). Several vertical components may be integrated in the semiconductor body outside the partial structures (7).
(FR) Un composant semi-conducteur (13) vertical peut être intégré sur un corps semi-conducteur commun (1) près des composants semi-conducteurs latéraux (13), ces derniers étant isolés par rapport au composant semi-conducteur (14) vertical au moyen d'une jonction PN. Cette manière d'isoler présente, entre autres, l'inconvénient de nécessiter beaucoup d'espace pour l'étalement de la zone de la charge d'espace de la jonction PN. C'est pourquoi il est avantageux d'effectuer l'isolation d'une autre manière. A cet effet, les structures partielles (7) contenant les composants semiconducteurs latéraux (13) sont entourées latéralement par des parois isolantes (6). Les parois partent d'une première surface (2) du corps semi-conducteur (1) pour atteindre une certaine profondeur et entrent dans le corps semi-conducteur. Dans la zone des structures partielles (7), le corps semi-conducteur (7) à son épaisseur réduite par une seconde surface (3), de manière à former un creux (9) s'étendant jusqu'aux parois isolantes (6). Plusieurs composants verticaux peuvent être intégrés dans le corps semi-conducteur, en dehors des structures partielles (7).
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
EP0626100US5591665JPH07504066