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1. WO1993017458 - DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR A SUBSTRAT DE SILICIUM ET PROCEDE DE REALISATION

Numéro de publication WO/1993/017458
Date de publication 02.09.1993
N° de la demande internationale PCT/JP1990/001124
Date du dépôt international 04.09.1990
CIB
H01L 21/74 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
74Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 21/743
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
74Making of ; localized; buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections ; substrate contacts
743Making of internal connections, substrate contacts
H01L 29/78618
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78618characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
H01L 29/78654
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78651Silicon transistors
78654Monocrystalline silicon transistors
Déposants
  • YOSHIDA, Tohru [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • YOSHIDA, Tohru
Mandataires
  • SUZUYE, Takehiko
Données relatives à la priorité
1/23053407.09.1989JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOI-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR A SUBSTRAT DE SILICIUM ET PROCEDE DE REALISATION
Abrégé
(EN)
An SOI-type semiconductor device having a semiconductor film (15) of a reduced thickness formed on an insulating film (12). The SOI-type semiconductor device has a semiconductor substrate (11), the insulating film (12) that has recessed portions (13a, 13b) and that is formed on the semiconductor substrate (11), and electrically conductive members (14a, 14b) buried in the recessed portions (13a, 13b). The device further has the semiconductor film (15) formed on the insulating film (12) and impurity regions (16) that are formed in the semiconductor film (15) and that are electrically connected to the electrically conductive members (14a, 14b).
(FR)
Dispositif semiconducteur de type à substrat de silicium, composé d'un film semiconducteur (15) d'épaisseur réduite, formé sur un film isolant (12). Le dispositif semiconducteur à substrat de silicium comporte un substrat semiconducteur (11), le film isolant (12) présentant des parties en retrait (13a, 13b) formées sur le substrat semiconducteur (11), et des éléments conducteurs électriques (14a, 14b) noyés dans les portions en retrait (13a, 13b). Le dispositif incorpore en outre un film semiconducteur (15) formé sur le film isolant (12) et des régions d'impureté (16) formées sur le film semiconducteur (15) connectées électriquement aux éléments électroconducteurs (14a, 14b).______________________________
Également publié en tant que
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