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1. (WO1993017456) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION EN SERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017456 N° de la demande internationale : PCT/US1993/000316
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 19.01.1993
CIB :
H01L 21/50 (2006.01) ,H01L 23/049 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
04
caractérisés par la forme
043
le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
049
les autres connexions étant perpendiculaires à la base
Déposants :
HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 West NASA Boulevard Melbourne, FL 32919, US
Inventeurs :
TEMPLE, Victor, Albert, Keith; US
Mandataire :
ROGERS, L., Lawton, III ; Rogers & Killeen 510 King Street Suite 400 Alexandria, VA 22314, US
Données relatives à la priorité :
07/826,00327.02.1992US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MASS PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION EN SERIE
Abrégé :
(EN) A semiconductor device (10) includes a semiconductor substrate (12) forming the bottom portion of a package (14) of the device and a ceramic plate (34) forming the upper or lid portion (16) of the device. The substrate includes a layer of metal (32) on its upper surface (28) along the substrate outer edge and spaced apart from the electrodes (24) on the substrate upper surface. The ceramic plate includes a copper foil (26) on its lower surface along the outer edge thereof which overlaps and is bonded to the substrate metal layer. The ceramic plate has apertures (36) therethrough which are sealed by copper foils (40, 44) on the inside of the package, the foils being bonded to respective ones of the substrate electrodes. A method of assembly comprises forming an array of integrally connected lids and an array of integrally connected substrates, each of the arrays including the aforementioned layers and foils, bonding the arrays together to form an array of devices, and dicing the bonded together arrays to provide individual devices.
(FR) Un dispositif à semi-conducteurs (10) comprend un substrat à semi-conducteurs (12) constituant la partie inférieure d'un boîtier (14) du dispositif, et une plaque de céramique constituant la partie supérieure (16) ou la partie de couvercle du dispositif. Le substrat comprend, sur sa surface supérieure (28), une couche de métal (32) disposée le long du bord externe du substrat et espacée par rapport aux électrodes (24) se trouvant sur la surface supérieure du substrat. La plaque de céramique comprend, sur sa surface inférieure et le long de son bord externe, une feuille de cuivre (26) qui chevauche la couche métallique et est soudée à celle-ci. La plaque de céramique comporte également des ouvertures (36) qui sont hermétiquement fermées par des feuilles de cuivre (40, 44) à l'intérieur du boîtier, ces feuilles étant soudées à des électrodes respectives du substrat. Un procédé d'assemblage consiste à former un réseau de couvercles reliés de façon solidaire et un réseau de substrats reliés de façon solidaire, chacun des réseaux comprenant les couches et les feuilles susmentionnées, à souder les réseaux ensemble pour former un réseau de dispositifs, et à découper les réseaux pour former des dispositifs individuels.
États désignés : CA, JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0582694JPH10501656 CA2106981