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1. WO1993017454 - FABRICATION PAR ATTAQUE CHIMIQUE DE SUBSTRATS TELS QUE DES DETECTEURS D'INFRAROUGES

Numéro de publication WO/1993/017454
Date de publication 02.09.1993
N° de la demande internationale PCT/GB1993/000393
Date du dépôt international 25.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.09.1993
CIB
H01L 21/308 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308en utilisant des masques
H01L 21/465 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/467 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
467en utilisant des masques
CPC
H01L 21/3083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
3083characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
H01L 21/465
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
461to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
465Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
H01L 21/467
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
461to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
465Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
467using masks
Y10S 438/977
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
977Thinning or removal of substrate
Déposants
  • GEC-MARCONI LIMITED [GB]/[GB] (AllExceptUS)
  • MATTHEWS, Brian, Edward [GB]/[GB] (UsOnly)
Inventeurs
  • MATTHEWS, Brian, Edward
Mandataires
  • COCKAYNE, Gillian
Données relatives à la priorité
9204078.126.02.1992GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURE OF ETCHED SUBSTRATES SUCH AS INFRARED DETECTORS
(FR) FABRICATION PAR ATTAQUE CHIMIQUE DE SUBSTRATS TELS QUE DES DETECTEURS D'INFRAROUGES
Abrégé
(EN)
A narrow and deep aperture (1) is chemically etched in and/or through a body (10) of, for example, cadmium mercury telluride or other infrared-sensitive material. The etchant is constrained and etches faster adjacent to side-walls (4 and 5) of a mask (2) on the body (10); these side-walls (4 and 5) are sufficiently close to each other that the faster etching areas overlap. Typically, apertures or slots (1) having a width (Y2) of about 7$g(m)m may be etched in this manner through a thickness (Z2) or 5$g(m)m via windows (3) having width (Y1) of 3$g(m)m in a photoresist mask (2) of thickness (Z3) of between 4 and 5$g(m)m.
(FR)
Une ouverture étroite et profonde (1) est produite par attaque chimique dans et/ou à travers un corps (10) tel que le telluriure de mercure de cadmium ou autre matériau sensible aux infrarouges. Le réactif d'attaque est confiné et son action est plus rapide à proximité adjacente des parois latérales (4 et 5) d'un masque (2) sur le corps (10); ces parois latérales (4 et 5) sont suffisamment proches l'une de l'autre pour que les zones où s'est produite une attaque rapide se chevauchent. Généralement, des ouvertures ou des fentes (1) ayant une largeur (Y2) d'environ 7 $g(m)m peut être produite par attaque chimique de cette manière sur une épaisseur (Z2) de 5 $g(m)m par l'intermédiaire des fenêtres (3) ayant une largeur (Y1) de 3 $g(m)m dans un masque de réserve (2) d'une épaisseur (Z3) comprise entre 4 et 5 $g(m)m.
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