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1. (WO1993017453) TRAITEMENT PAR UN PLASMA DE GAZ AMMONIAC DES SURFACES DE CONTACT EN COMBINAISON SILICIEE PRESENTES SUR LES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017453 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001507
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 22.02.1993
CIB :
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
Déposants :
MATERIALS RESEARCH CORPORATION [US/US]; Route 303 Orangeburg, NY 10962, US
Inventeurs :
SOMMER, Bruce, A.; US
EICHMAN, Eric, C.; US
CHURLEY, Michael, J.; US
Mandataire :
JORDAN, Joseph, R. ; Wood, Herron & Evans 2700 Carew Tower Cincinnati, OH 45202, US
Données relatives à la priorité :
07/842,08826.02.1992US
Titre (EN) AMMONIA PLASMA TREATMENT OF SILICIDE CONTACT SURFACES IN SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) TRAITEMENT PAR UN PLASMA DE GAZ AMMONIAC DES SURFACES DE CONTACT EN COMBINAISON SILICIEE PRESENTES SUR LES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Methods are disclosed for treating semiconductor devices with an ammonia (NH3) plasma subsequent to freon/O2 etching to remove native oxide layers. Freon/O2 etching leaves a fluoridated polymer residue which is removed by the ammonia plasma, thereby resulting in improved contact resistanc of the final semiconductor device product.
(FR) Sont décrits des procédés permettant de traiter des composants à semi-conducteur avec un plasma de gaz ammoniac (NH3), après gravure au fréon/O2, pour dissoudre les couches d'oxyde spontanées. La gravure au fréon/O2 laisse un résidu de polymère fluoré que le plasma de gaz ammoniac dissout, ce qui améliore la résistance des contacts du composant final à semi-conducteur.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
AU1993037265