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1. (WO1993017452) MASQUE DE CIRCUIT INTEGRE FORME AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017452 N° de la demande internationale : PCT/US1992/001337
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 28.02.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 09.03.1993
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
LASA INDUSTRIES, INC. [US/US]; 505 Lincoln Avenue San Jose, CA 95126, US
Inventeurs :
DOOLEY, Daniel, J.; US
ELSEA, Arthur, R. Jr.; US
Mandataire :
LAZAR, Dale, S. ; Cushman, Darby & Cushman Ninth Floor 1100 New York Avenue, N.W. Washington, DC 20005-3918, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LASER GENERATED I.C. MASK
(FR) MASQUE DE CIRCUIT INTEGRE FORME AU LASER
Abrégé :
(EN) An improved method of making masks includes forming a layer of amorphous silicon (12) of about 2,000 angstroms on a transparent substrate (10). A laser beam (20) traverses the amorphous silicon to form a pattern of crystallized silicon (14). The n-crystallized silicon is etched leaving a patterned substrate. The patterned substrate is used as a mark for exposing photoresist on semiconductor elements.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de masques qui consiste à former une couche de silicium amorphe (12) d'environ 2000 angstroms sur un substrat transparent (10). Un rayon laser (20) est envoyé à travers le silicium amorphe afin de former un motif de silicium cristallisé (14). Le silicium non cristallisé est attaqué, ce qui permet d'obtenir le substrat gravé. Le substrat gravé s'utilise comme masque pour exposer l'agent de photoréserve sur des éléments semiconducteurs.
États désignés : CA, JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0627123