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1. (WO1993017450) PROCEDE D'OBTENTION DE DEUX REGIONS CONTIGUES DE DOPAGES DIFFERENTS L'UN DE L'AUTRE A LA SURFACE D'UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017450 N° de la demande internationale : PCT/SE1993/000095
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 03.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.09.1993
CIB :
H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/266 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033
comportant des couches inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
266
en utilisant des masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
ASEA BROWN BOVERI AB [SE/SE]; S-721 83 Västerås, SE (AllExceptUS)
BOHLIN, Kjell [SE/SE]; SE (UsOnly)
Inventeurs :
BOHLIN, Kjell; SE
Mandataire :
WARSTRAND, Hans ; ABB Corporate Research Patent Department S-721 78 Västerås, SE
Données relatives à la priorité :
9200553-725.02.1992SE
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TWO CONTIGUOUS REGIONS OF MUTUALLY DIFFERENT DOPINGS AT THE SURFACE OF A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) PROCEDE D'OBTENTION DE DEUX REGIONS CONTIGUES DE DOPAGES DIFFERENTS L'UN DE L'AUTRE A LA SURFACE D'UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Two self-aligned and contiguous regions (5, 7) of mutually different dopings can be generated at the surface (11) of a semiconductor body (1) by generating a first layer on the surface of the semiconductor body, selectively introducing a dopant through this layer within a defined portion of the semiconductor body at the surface thereof, changing the etching properties of the layer within said defined portion, removing the layer outside this portion by etching and, finally, doping the semiconductor body with the remaining part (21) of the layer as mask.
(FR) Deux régions contiguës (5, 7) de dopages différents l'un de l'autre, alignées automatiquement, peuvent être obtenues à la surface (11) d'un corps (1) semi-conducteur, par production d'une première couche à la surface de ce corps, par introduction à volonté d'un dopant dans cette couche dans un secteur défini de la surface du semi-conducteur, par modification des propriétés d'attaque de la couche comprise dans le secteur sus-défini, par enlèvement de la couche externe de ce secteur par attaque et, enfin, par dopage du semi-conducteur avec la partie restante (21) de la couche servant de masque.
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)