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1. (WO1993017448) DOPAGE EN PHASE GAZEUSE ET A UNE PRESSION REDUITE D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES CHAUFFE PAR RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017448 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001260
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 12.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 23.07.1993
CIB :
H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/3215 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3215
Dopage des couches
Déposants :
AG PROCESSING TECHNOLOGY, INC. d.b.a. AG ASSOCIATES [US/US]; 1325 Borregas Avenue Sunnyvale, CA 94089, US
Inventeurs :
JOHNSGARD, Kristian, E.; US
GALEWSKI, Carl; US
KERMANI, Ahmad; US
Mandataire :
HAYNES, Mark, A. ; Fliesler, Dubb, Meyer & Lovejoy Four Embarcadero Center, Suite 400 San Francisco, CA 94111-4156, US
Données relatives à la priorité :
843,36125.02.1992US
Titre (EN) GAS PHASE DOPING OF SEMICONDUCTOR MATERIAL IN A COLD-WALL RADIANTLY HEATED REACTOR UNDER REDUCED PRESSURE
(FR) DOPAGE EN PHASE GAZEUSE ET A UNE PRESSION REDUITE D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES CHAUFFE PAR RAYONNEMENT
Abrégé :
(EN) A technique for doping silicon (100) material or other semiconductors (100, 200) uses gas phase dopant sources under reduced pressure in a radiantly heated (11), cold-wall reactor (10). The technique is applied to the automated integrated circuit manufacturingtechniques being adopted in modern fabrication facilities. The method includes placing a substrate (20) comprising semiconductor material on a thermally isolated support structure (18, 19) in a reduced pressure, cold-wall (25) reaction chamber (10); radiantly heating (11) the substrate (20) within the reaction chamber (10) to a controlled temperature; flowing a gas phase source of dopant at controlled pressure and concentration in contact with the substrate (20) so that the dopant is absorbed by the substrate (20) and annealing the substrate (20). The substrate (20) may be first coated with a layer of polycrystalline (105) semiconductor, and then gas phase doping as described above may be applied to the polycrystalline layer (105).
(FR) Une technique de dopage d'un matériau en silicium (100) ou d'autres semi-conducteurs (100, 200) consiste à utiliser des sources d'agent de dopage en phase gazeuse, à une pression réduite, dans unréacteur (10) à parois froides, chauffé par rayonnement. Cette technique est utilisée dans le cadre de techniques de production automatisée de circuits intégrés adoptées dans des installations modernes de production. Le procédé consiste à placer un substrat (20) comprenant un matériau semi-conducteur sur une structure de support (18, 19) à isolation thermique, dans la chambre de réaction (10) à parois froides (25) et à pression réduite, à chauffer le substrat (20) par rayonnement (11) dans la chambre de réaction (10), jusqu'à une température régulée, à mettre un écoulement d'une source d'agent de dopage en phase gazeuse, à une pression et en une concentration régulées, en contact avec le substrat (20) de sorte que l'agent de dopage est absorbé par le substrat (20); et à à procéder au recuit dudit substrat (20). Celui-ci (20) peut d'abord être recouvert d'une couche d'un semi-conducteur polycristallin (105), après quoi l'agent de dopage en phase gazeuse décrit ci-dessus peut être appliqué sur la couche polycristalline (105).
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0628213JPH08500938 KR1019957000605