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1. (WO1993017158) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT LA CROISSANCE DE CRISTAUX FAÇONNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/017158 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001657
Date de publication : 02.09.1993 Date de dépôt international : 24.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.09.1993
CIB :
C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/06 (2006.01) ,C30B 15/14 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
06
Tirage non vertical
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
14
Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
Déposants :
CRYSTAL SYSTEMS, INC. [US/US]; 27 Congress Street Shetland Industrial Park Salem, MA 01970, US
Inventeurs :
SCHMID, Frederick; US
KHATTAK, Chandra, P.; US
GORBULEV, Vladimir; US
Mandataire :
LAMPERT, James, B. ; Hale and Dorr 60 State Street Boston, MA 02109, US
Données relatives à la priorité :
07/843,47428.02.1992US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SHAPED CRYSTALS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT LA CROISSANCE DE CRISTAUX FAÇONNES
Abrégé :
(EN) A high temperature heat exchanger (20) is used with the Czochralski crystal growing method to control the heat extraction from crystal silicon ingots (12) as they are grown. The high temperature heat exchanger (20) also acts as a shaping die (20) so that silicon bars, or ingots (12) of various shapes, including square, circular, rectangular or ribbon, can be produced by shaping during the growth stage.
(FR) Un échangeur thermique à haute température (20) est utilisé avec le procédé de croissance de cristaux de Czochralski afin de réguler l'extraction de chaleur de lingots de silicium cristallin (12) pendant leur croissance. L'échangeur thermique à haute température (20) joue également le rôle de matrice de façonnage (20) de sorte que des barres ou des lingots (12) de silicium de formes différentes y compris les formes carrées, circulaires, rectangulaires ou en ruban, peuvent être produits par façonnage pendant l'étape de croissance.
États désignés : CA, JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)