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1. (WO1993016525) AMPLIFICATEURS A GAMME DYNAMIQUE LARGE ET A FAIBLE NIVEAU DE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/016525    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/001279
Date de publication : 19.08.1993 Date de dépôt international : 12.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.09.1993    
CIB :
H03F 3/193 (2006.01)
Déposants : TRONTECH, INC. [US/US]; 38 Industrial Way East, Eatontown, NJ 07724 (US)
Inventeurs : BRAND, Charles, S.; (US).
SAMAY, Stephen, J.; (US)
Mandataire : SKOLNIK, Robert, M.; 353 Monmouth Road, P.O. Box 22, West Long Branch, NJ 07764 (US)
Données relatives à la priorité :
07/837,345 13.02.1992 US
Titre (EN) LOW NOISE WIDE DYNAMIC RANGE AMPLIFIERS
(FR) AMPLIFICATEURS A GAMME DYNAMIQUE LARGE ET A FAIBLE NIVEAU DE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)Certain GaFET devices (Q1) are employed to accomplish low noise performance and simultaneous high power handling capability, i.e. high dynamic range performance, in an amplifier using larger GaFET devices. Such devices are incorporated in different circuit configurations to achieve amplifiers having, simultaneously, a low noise figure, higher input/output intercept performance, higher output power, and improved ruggedness toward high input interfering signals, while not sacrificing other highly desirable terminal characteristics, (i.e. gain, VSWR, etc.).
(FR)On utilise certains dispositifs à transistor à effet de champ au gallium (dispositifs GaFET) (Q1) pour assurer des performances avec un faible niveau de bruit et en même temps une capacité de gestion de puissance élevée, c'est-à-dire des performances de gamme dynamique élevées dans un amplificateur utilisant des dispositifs GaFET plus grands. Ces dispositifs sont incorporés dans différentes configurations de circuits pour former des amplificateurs ayant simultanément une caractéristique de bruit parasite de faible niveau, des performances d'imperfection entrée/sortie plus élevées, une puissance de sortie plus élevée et une meilleure robustesse face au signaux d'interférence d'entrée élevée, tout en ne sacrifiant pas d'autres caractéristiques finales fortement souhaitables (telles que gain, taux d'ondes stationnaires, etc.).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)