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1. (WO1993016494) DISPOSITIFS EMETTEURS BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES EN POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/016494    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/000816
Date de publication : 19.08.1993 Date de dépôt international : 29.01.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.08.1993    
CIB :
H01L 21/8249 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way, Norwood, MA 02062-9106 (US)
Inventeurs : ROBINSON, Derek, W.; (US).
KRIEGER, William, A.; (US).
MARTINEZ, Andre, M.; (US).
McDEVITT, Marion, R.; (US)
Mandataire : HENRY, Steven, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
07/828,745 31.01.1992 US
Titre (EN) COMPLEMENTARY BIPOLAR POLYSILICON EMITTER DEVICES
(FR) DISPOSITIFS EMETTEURS BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES EN POLYSILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Bipolar transistors and MOS transistors on a single semiconductor substrate involves depositing a single layer of polysilicon on a substrate, including complementary transistors of either or both types, and a method for fabricating same. The devices are made by depositing a single layer of polysilicon on a substrate and etching narrow slots in the form of rings around every bipolar emitter area, which slots are thereafter filled with an insulating oxide. Then, emitters and extrinsic base regions are formed. The emitters are self-aligned to the extrinsic base regions. An optional cladding procedure produces a surface layer of a silicide compound, a low resistance conductor. The resulting structure yields a high-performance device in which the size constraints are at a minimum and contact regions may be made at the top surface of the device.
(FR)Transistors bipolaires et transistors MOS sur un unique substrat semi-conducteur obtenus par déposition d'une seule couche de polysilicium sur un substrat, y compris des transistors complémentaires de l'un ou l'autre des deux types, et procédé de fabrication desdits transistors. Ces dispositifs sont obtenus en déposant une seule couche de polysilicium sur un substrat et en attaquant des rainures étroites en forme d'anneaux autour de chaque zone émettrice bipolaire, lesdits anneaux étant alors remplis à l'aide d'un oxyde isolant. Ensuite, des émetteurs et des régions de base extrinsèques sont formés. Les émetteurs sont automatiquement alignés par rapport aux régions de base extrinsèques. Une procédure optionnelle de placage produit une couche superficielle d'une combinaison silicée, un conducteur à faible résistance. La structure qui en résulte fournit un dispositif à haute performance dans lequel les contraintes de taille sont réduites au minimum et les régions de contact peuvent être placées à la surface supérieure du dispositif.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)