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1. (WO1993016491) MODULES DE CIRCUITS ELECTRONIQUES A HAUTE DENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/016491    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/001322
Date de publication : 19.08.1993 Date de dépôt international : 12.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.1993    
CIB :
A61B 3/113 (2006.01), G02B 5/30 (2006.01), G02B 27/00 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : KOPIN CORPORATION [US/US]; 695 Myles Standish Boulevard, Myles Standish Industrial Park, Taunton, MA 02780 (US)
Inventeurs : SPITZER, Mark, B.; (US).
JACOBSEN, Jeffrey; (US).
VU, Duy-Phach; (US).
DINGLE, Brenda; (US).
CHEONG, Ngwe; (US)
Mandataire : HOOVER, Thomas, O.; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, Two Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Données relatives à la priorité :
834,849 13.02.1992 US
874,588 24.04.1992 US
Titre (EN) HIGH DENSITY ELECTRONIC CIRCUIT MODULES
(FR) MODULES DE CIRCUITS ELECTRONIQUES A HAUTE DENSITE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to device processing, packaging and interconnects that will yield integrated electronic circuitry of higher density and complexity than can be obtained by using conventional multi-chip modules. Processes include the formation of complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. Circuit modules using integrated transfer/interconnect processes compatible with extremely high density and complexity provide large-area active-matrix displays with on-board drivers and logic in a complete glass-based modules. Other applications are contemplated, such as, displays, microprocessor and memory devices, and communication circuits with optical input and output.
(FR)L'invention concerne le traitement de dispositifs, l'encapsulation et les interconnexions permettant de produire des circuits électroniques intégrés plus denses et plus complexes que ceux qui recourent aux modules multi-plaquettes classiques. Les procédés utilisés impliquent la formation de circuits multi-fonctions complexes placés sur des substrats de modules communs utilisant des carreaux de circuit constitués de silicium en couche mince que l'on transfère, interconnecte et enrobe. Ces modules de circuits utilisant des procédés intégrés de transfert-connexion compatibles avec des densités et des complexités très élevées, permettent de fabriquer des affichages à matrice active de grande surface à étages d'attaques intégrés et logiques placées dans des modules entièrement en verre. On envisage d'autres applications telles que des affichages, des dispositifs à microprocesseurs et à mémoires, et des circuits de communication dotés d'entrées et de sorties optiques.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)