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1. (WO1993016487) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/016487    N° de la demande internationale :    PCT/JP1993/000165
Date de publication : 19.08.1993 Date de dépôt international : 09.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.09.1993    
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP)
Mandataire : FUKUMORI, Hisao; 12, Honshio-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
4/57354 10.02.1992 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having an excellent migration resistance, a long life, and a shorter delay in its inner wiring, and a method for manufacturing such a device. Copper wire the width of which is smaller than 1 $g(m)m and the grain size of which is more than ten times the wiring width is partly used.
(FR)L'invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur, ayant une excellente résistance à l'électromigration, une longue durée de vie et un retard réduit dans son câblage interne, ainsi qu'à un procédé de fabrication de ce dispositif. Un fil de cuivre dont la largeur de câblage est inférieure à 1 $g(m)m et dont la granulométrie est supérieure à 10 fois la largeur de câblage est utilisé en partie pour ledit dispositif.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)