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1. (WO1993015598) PROCEDE DE CULTURE EN MASSE DE VEGETAUX ET DISPOSITIF ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015598    N° de la demande internationale :    PCT/FR1993/000129
Date de publication : 19.08.1993 Date de dépôt international : 08.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.09.1993    
CIB :
A01G 7/04 (2006.01), C12N 5/04 (2006.01)
Déposants : DE LA GOUBLAYE DE NANTOIS, Tanneguy [FR/FR]; (FR).
DE LA GOUBLAYE DE NANTOIS, Hélène [FR/FR]; (FR)
Inventeurs : DE LA GOUBLAYE DE NANTOIS, Tanneguy; (FR).
DE LA GOUBLAYE DE NANTOIS, Hélène; (FR)
Mandataire : POLUS, Camille; Cabinet Lavoix, 2, place d'Estienne-d'Orves, F-75441 Paris Cédex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
92/01421 07.02.1992 FR
Titre (EN) PROCESS FOR MASS PLANT CULTIVATION AND ASSOCIATED DEVICE
(FR) PROCEDE DE CULTURE EN MASSE DE VEGETAUX ET DISPOSITIF ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)Process for mass plant cultivation encompassing an initiation phase and cultivation in fields, including intermediate phases with acclimatized seedlings or complementary phases such as multiplication or rhizogenesis. The process is characterized in that an electric field is applied between the cultivation support and a conducting element located above the plant. The present invention also concerns an associated device and versions thereof according to application.
(FR)Procédé de culture en masse de végétaux de la phase d'initiation, à la culture de plein champ, y compris les phases intermédiaires du plant acclimaté ou les phases complémentaires comme la multiplication ou la rhizogénèse, caractérisé en ce qu'on applique un champ électrique entre le support de culture et un élément conducteur disposé au-dessus du végétal. La présente invention a également pour objet le dispositif associé et ses variantes suivant l'application.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)