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1. (WO1993015537) STRUCTURE DE GAIN DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR EVASEE, DOTEE DE RAINURES DEFLECTRICES DE LA CAVITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015537    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/000838
Date de publication : 05.08.1993 Date de dépôt international : 28.01.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.08.1993    
CIB :
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/50 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 28 Carleton Street, Room E32-300, Cambridge, MA 02142-1324 (US)
Inventeurs : WALPOLE, James, N.; (US).
KINTZER, Emily, S.; (US).
CHINN, Stephen, R.; (US).
WANG, Christine, A.; (US).
MISSAGGIA, Leo, J.; (US)
Mandataire : REYNOLDS, Leo, R.; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, 2 Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Données relatives à la priorité :
07/829,778 31.01.1992 US
Titre (EN) TAPERED SEMICONDUCTOR LASER GAIN STRUCTURE WITH CAVITY SPOILING GROOVES
(FR) STRUCTURE DE GAIN DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR EVASEE, DOTEE DE RAINURES DEFLECTRICES DE LA CAVITE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser gain structure having a tapered gain region (31) comprising cavity spoilers (48, 50) for receiving light which is reflected off of the output facet (38) back into the semiconductor and removing it from the gain region (31) so as to reduce or eliminate self-oscillation. The boundaries of the gain region (31) are also designed to have a very low refractive index gradient so as to minimize reflection of light off of the boundaries back into the gain region (31). The gain structure (33) may be embodied in a semiconductor laser oscillator or semiconductor laser amplifier depending on whether the input facet (34) is or is not, respectively, anti-reflection coated. The output facet (38) is anti-reflection coated in either embodiment.
(FR)Structure de gain de laser à semi-conducteur doté d'une région de gain évasée (31) comportant des déflecteurs de la cavité (48, 50) destinés à recevoir la lumière qui est réfléchie par la facette de sortie (38) et renvoyée vers le semi-conducteur et à l'éliminer de la région de gain (31) de manière à réduire ou à supprimer l'oscillation propre. Les limites de la région de gain (31) sont également conçues pour avoir un gradient d'indice de réfraction très bas, de manière à réduire au minimum la réflexion de la lumière par les limites et son renvoi vers la région de gain (31). ladite structure de gain (33) peut être incorporée dans un oscillateur laser à semi-conducteurs ou dans un amplificateur laser à semi-conducteurs selon que la facette d'entrée (34) respectivement a subi ou n'a pas subi un traitement antireflet. La facette de sortie (38) subit un traitement antireflet dans les deux modes de réalisation.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)