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1. (WO1993015524) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A SEUIL FERMI AVEC GRILLE ET CAPACITE DE DIFFUSION REDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015524    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/000992
Date de publication : 05.08.1993 Date de dépôt international : 28.01.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.1993    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : THUNDERBIRD TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1000 Perimeter Park Drive, P.O. Box 13739, Research Triangle Park, NC 27709-3739 (US)
Inventeurs : VINAL, Albert, W.; (US)
Mandataire : BIGEL, Mitchell, S.; Bell, Seltzer, Park & Gibson, P.O. Drawer 34009, Charlotte, NC 28234 (US)
Données relatives à la priorité :
826,939 28.01.1992 US
977,689 18.11.1992 US
Titre (EN) FERMI THRESHOLD FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH REDUCED GATE AND DIFFUSION CAPACITANCE
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A SEUIL FERMI AVEC GRILLE ET CAPACITE DE DIFFUSION REDUITE
Abrégé : front page image
(EN)An improved Fermi FET structure with low gate and diffusion capacity allows conduction carriers to flow within the channel at a predetermined depth in the substrate below the gate, without requiring an inversion layer to be created at the surface of the semiconductor. The low capacity Fermi FET is preferably implemented using a Fermi Tub having a predetermined depth, and with a conductivity type opposite the substrate conductivity type and the same conductivity type as the drain and source diffusions.
(FR)Une structure de transistor à effet de champ Fermi avec grille et diffusion de faible capacité permet une conduction dans le canal à une profondeur prédéterminée dans le substrat situé au-dessous de la grille sans qu'il soit nécessaire de prévoir une couche d'inversion à la surface du semiconducteur. On obtient le transistor à effet de champ Fermi de faible capacité en utilisant de préférence une zone 'Tub Fermi' ayant une profondeur prédéterminée et le type de conductivité opposé à celui du substrat mais similaire à celui du drain et des diffusions de source.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)