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1. (WO1993015523) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL P A PUITS QUANTIQUE, ET CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015523    N° de la demande internationale :    PCT/FR1993/000061
Date de publication : 05.08.1993 Date de dépôt international : 21.01.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.08.1993    
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : PICOGIGA SA [FR/FR]; 5, rue de la Réunion, ZA de Courtab÷uf, F-91940 Les Ulis (FR) (Tous Sauf US).
NUYEN, Linh, T. [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CASTAGNE, Jean [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NUYEN, Linh, T.; (FR).
CASTAGNE, Jean; (FR)
Mandataire : DUPUIS-LATOUR, Dominique; Cabinet Bardehle, Pagenberg & Associés, 7, bd de Sébastopol, F-75001 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
92/00668 22.01.1992 FR
92/08985 21.07.1992 FR
Titre (EN) QUANTUM WELL P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING COMPLEMENTARY TRANSISTORS
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL P A PUITS QUANTIQUE, ET CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A transistor comprising an Al¿x?Ga¿1-x?As (or Al¿x?In¿1-x?As) layer and a Ga¿y?In¿1-y?As layer defining, at the latter layer, a quantum well having HH-type sub-bands. The thickness of the Ga¿y?In¿1-y?As layer is selected so that when a negative voltage (V¿G?) is applied to the gate, sub-bands HH¿1?, HH¿2?, HH¿3?,... occur in the quantum well and are separated by sufficient energy to ensure that the sub-bands corresponding to the highest effective masses M*¿h//? have a substantially lower hole density than sub-band HH¿1?, whereby a hole build-up condition is created in the quantum well and the transconductance of the component is correlatively increased. This corresponds to a Ga¿y?In¿1-y?As thickness of about 4-6 nm for 25-35 % indium, or 6-9 nm for 25-30 % indium. In order to further improve performance, a ternary structure such as Al¿x?Ga¿1-x?As/Ga¿y?In¿1-y?As/Al¿z?Ga¿1-z?As, Al¿x?Ga¿1-x?As/GaAs¿w?Sb¿1-w?/Al¿z?Ga¿1-z?As or Al¿x?Ga¿1-x?As/Ga¿y?In¿1-y?As¿w?Sb¿1-w?/Al¿z?Ga¿1-z?As may also be provided.
(FR)Ce transistor comporte une couche Al¿x?Ga¿1-x?As(ou Al¿x'?In¿1-x'?As) et une couche Ga¿y?In¿1-y?As définissant, au niveau de cette dernière couche, un puits quantique comportant des sous-bandes de type HH. Selon l'invention, l'épaisseur de la couche Ga¿y?In¿1-y?As est choisie de manière que, lorsqu'une tension négative (V¿G?) est appliquée à la grille, il apparaisse dans le puits quantique des sous-bandes HH¿1?, HH¿2?, HH¿3?, ... séparées par une énergie telle que les sous-bandes correspondant aux masses effectives m*¿h//? les plus élevées soient peuplées de trous en concentration notablement inférieure à celle des trous pendant la sous-bande HH¿1?, de manière à créer un régime d'accumulation de trous dans le puits quantique et accroître corrélativement la transconductance du composant. Ceci correspond, pour 25 à 35 % d'indium, à une épaisseur de Ga¿y?In¿1-y?As comprise entre 4 et 6 nm environ ou, pour 25 à 30 % d'indium, à une épaisseur comprise entre 6 et 9 nm. On peut également prévoir, pour améliorer encore les performances, une structure ternaire telle que Al¿x?Ga¿1-x?As/Ga¿y?In¿1-y?As/Al¿z?Ga¿1-z?As, Al¿x?Ga¿1-x?As/GAAs¿w?Sb¿1-w?/Al¿z?Ga¿1-z?As ou Al¿x?Ga¿1-x?As/Ga¿y?In¿1-y?As¿w?Sb¿1-w?/Al¿z?Ga¿1-z?As.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)