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1. (WO1993015388) TRANSDUCTEUR DE CONTRAINTE DE CISAILLEMENT D'UN FLUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015388    N° de la demande internationale :    PCT/GB1992/000212
Date de publication : 05.08.1993 Date de dépôt international : 03.02.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.02.1992    
CIB :
G01M 9/06 (2006.01), G01N 11/00 (2006.01), G01N 13/00 (2006.01)
Déposants : ROLLS-ROYCE PLC [GB/GB]; 65 Buckingham Gate, London SW1E 6AT (GB) (Tous Sauf US).
COOK, Stephen, Charles [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : COOK, Stephen, Charles; (GB)
Mandataire : GUNN, M., A.; Patents Department, Rolls-Royce plc, PO Box 31, Moor Lane, Derby DE2 8BJ (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FLUID SHEAR STRESS TRANSDUCER
(FR) TRANSDUCTEUR DE CONTRAINTE DE CISAILLEMENT D'UN FLUIDE
Abrégé : front page image
(EN)A transducer device (24) provides a measure of fluid shear stress and related quantities at a surface (11) in a fluid stream. It comprises a flow disturbing component (18) which projects above the surface through a substantial proportion (at least 50 %) of the expected thickness of the viscous sublayer (14) of the boundary layer of the surface. It also comprises pressure sensitive semiconductor diodes (26, 26') disposed immediately adjacent to, but on opposing sides of, the flow disturbing component (18). The diodes registrer the pressure difference across the flow disturbing component due to the disturbance, the junction regions (30, 30') of the diodes being arranged to be at least partly coextensive with the expected streamwise extent of the disturbance.
(FR)Transducteur (24) permettant de mesurer la contrainte de cisaillement d'un fluide et les valeurs apparentées au niveau d'une surface (11) sur laquelle s'écoule un fluide. Il comprend un composant (18) perturbateur d'écoulement dépassant de la surface dans une proportion importante (au moins 50 %) de l'épaisseur prévue de la sous-couche visqueuse (14) de la couche limite de la surface. Le transducteur comprend également des diodes (26, 26') semiconducteurs sensibles à la pression disposées immédiatement adjacent à, mais sur les côtés opposés, du composant de perturbateur d'écoulement (18). Les diodes permettent d'enregistrer la différence de pression dans le composant de perturbateur d'écoulement en raison de la perturbation produite, les zones de fonction (30, 30') des diodes étant disposées de façon à s'étendre au moins partiellement sur la même distance que la perturbation dans le sens de l'écoulement.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)