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1. (WO1993015242) PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE KTiOPO¿4?
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/015242    N° de la demande internationale :    PCT/RU1992/000012
Date de publication : 05.08.1993 Date de dépôt international : 23.01.1992
CIB :
C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : MOSKOVSKOE GOSUDARSTVENNO-KOOPERATIVNOE PREDPRIYATIE 'AVTOPROKAT' [RU/RU]; Ostapovsky proezd, 17, Moscow, 109316 (RU) (Tous Sauf US).
TSYGANKOV, Sergei Viktorovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : TSYGANKOV, Sergei Viktorovich; (RU)
Mandataire : THE ALL-UNION CENTRE OF PATENT SERVICES 'PATIS'; ul. Miklukho-Maklaya, 55a, Moscow, 117279 (RU)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALS OF KTiOPO¿4?
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE KTiOPO¿4?
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing a monocrystal of KTiOPO¿4? from a melt solution consists in heating the system K¿2?O-TiO¿2?-P¿2?O¿5? up to a temperature of 900 - 1100 °C. The ratio of said components in mole per cent is the following: 40 - 50 : 19 - 33.5 : 26.5 - 33.5, respectively. The temperature on the surface of this solution is maintained 5-8° lower than that at the depth of 2-2.5 cm and the solution is cooled down to saturation on the surface. Then at the depth of 1 mm of the solution a seed crystal is introduced, oriented by one of its axes at right angles to the surface of the solution. After that the solution is further cooled down by 10 - 30 °C at the rate of 5 °C per hour with subsequent raising of the crystal from the solution at the speed of 1-5 mm every 24 hours while maintaining the said rate of cooling of the solution.
(FR)Un procédé de croissance d'un monocristal de KTiOPO¿4? à partir d'une solution de fusion consiste à chauffer le système K¿2?O-TiO¿2?-P¿2?O¿5? jusqu'à une température comprise entre 900 et 1100 °C. Le rapport molaire desdits constituants exprimé en pourcentage est le suivant: 40 - 50 : 19 - 33,5 : 26,5 - 33,5, respectivement. La température à la surface de la solution est maintenue inférieure de 5 à 8° par rapport à celle reignant à une profondeur de 2 à 2,5 cm, et ladite solution est refroidie jusqu'à sa saturation en surface. Ensuite, à une profondeur de 1 mm de la solution, on introduit un germe cristallin orienté par un de ces axes en angle droit par rapport à la surface de la solution. Ensuite, on refroidit à nouveau la solution de 10 à 30 °C à une vitesse de 5 °C par heure pour permettre la levée du cristal à partir de la solution à une vitesse comprise entre 1 et 5 mm par 24 heures, tout en maintenant ledit rythme de refroidissement de la solution.
États désignés : RU, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)