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1. (WO1993010471) DETECTEUR DE RAYONS X A IODURE MERCURIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/010471    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/009822
Date de publication : 27.05.1993 Date de dépôt international : 10.11.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.06.1993    
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : XSIRIUS, INC. [US/US]; 1110 N. Glebe Rd., Suite #620, Arlington, VA 22201 (US)
Inventeurs : IWANCZYK, Jan, S.; (US)
Mandataire : DREYFUS, Edward; Stanger, Stempler & Dreyfus, P.O. Box 5592, Clark, NJ 07066 (US)
Données relatives à la priorité :
07/798,285 22.11.1991 US
Titre (EN) MECURIC IODIDE X-RAY DETECTOR
(FR) DETECTEUR DE RAYONS X A IODURE MERCURIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Mecuric Iodide X-Ray detectors are made to exhibit high energy resolution characteristics, reduced background level in the X-Ray spectra, enhanced sensitivity to low energy X-Rays and significantly improved long term stability and reliability. The above improvements have been achieved through specific changes in the detector construction and passivation/encapsulation techniques. Specifically, the introduction of a guard ring structure (15) and collimating shield (21) improved the electric field distribution in the detector (10), reduced the surface leakage current, lowered effective capacitance and eliminated current injections. A special Parylene-C and Parylene-N deposition onto the detector (10) surface insured excellent long term detector stability and reliability.
(FR)On a produit des détecteurs de rayons X à iodure mercurique afin qu'ils présentent des caractéristiques de résolution d'énergie élevées, un niveau de fond réduit dans les spectres des rayons X, une sensibilité accrue aux rayons X de faible énergie, ainsi qu'une stabilité et une fiabilité à long terme sensiblement améliorées. On est parvenu aux améliorations précitées par des changements spécifiques de la construction du détecteur et au moyen de techniques de passivation/encapsulage. Spécifiquement, l'introduction d'une structure annulaire de protection (15) ainsi qu'un écran de collimation (21) ont amélioré la répartition du champ électrique dans le détecteur (10), réduit le courant de fuite en surface, abaissé la capacité effective et éliminé les injections de courant. Le dépôt spécial de parylène-C et de parylène-N sur la surface du détecteur (10) a permis d'obtenir une stabilité et une fiabilité excellentes de ce dernier à long terme.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CS, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, PL, RO, RU, SD, SE.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)