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1. (WO1993009546) GRAVURE PAR RAYONS X AU MOYEN D'IMAGES HOLOGRAPHIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/009546    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/009314
Date de publication : 13.05.1993 Date de dépôt international : 30.10.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.05.1993    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), G03H 5/00 (2006.01), G21K 1/06 (2006.01)
Déposants : HOWELLS, Malcolm, R. [US/US]; (US).
JACOBSEN, Chris [US/US]; (US)
Inventeurs : HOWELLS, Malcolm, R.; (US).
JACOBSEN, Chris; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & McHugh, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
786,265 01.11.1991 US
Titre (EN) X-RAY LITHOGRAPHY USING HOLOGRAPHIC IMAGES
(FR) GRAVURE PAR RAYONS X AU MOYEN D'IMAGES HOLOGRAPHIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A non-contact X-ray projection lithography method for producing a desired X-ray image on a selected surface of an X-ray-sensitive material, such as photoresist material on a wafer, the desired X-ray image having image minimum linewidths as small as 0.063 $g(m)m, or even smaller. A hologram (15) and its position are determined that will produce the desired image (19) on the selected surface (17) when the hologram is irradiated with X-rays (11) from a suitably monochromatic X-ray source of a selected wavelength $g(l). On-axis X-ray transmission through, or off-axis X-ray reflection from, a hologram may be used here, with very different requirements for monochromaticity, flux and brightness of the X-ray source. For reasonable penetration of photoresist materials by X-rays produced by the X-ray source, the wavelength $g(l) is preferably chosen to be no more than 13.5 nm in one embodiment and more preferably is chosen in the range 1-5 nm in the other embodiment. A lower limit on linewidth is set by the linewidth of available microstructure writing devices, such as an electron beam.
(FR)Procédé de gravure par projection de rayons X, sans contact, destiné à la production d'une image désirée produite par rayons X sur une surface sélectionnée d'un matériau sensible aux rayons X, tel qu'un photorésiste sur une tranche, l'image désirée produite par rayon X présentant une largeur de trait minimum égale à 0,063 $g(m)m ou même plus petite. On détermine un hologramme (15) et sa position de façon à produire l'image désirée (19) sur la surface sélectionnée (17) lorsque ledit hologramme est irradié avec les rayons X (11) provenant d'une source de rayons X adéquatement monochromatique, dont la longueur d'onde $g(l) est sélectionnée. On peut se servir de la transmission axiale de rayons X par l'intermédiaire d'un hologramme ou bien de la réflexion des rayons X décalés à partir d'un hologramme, cela avec différentes exigences relatives à la monochromaticité, au flux et à la luminosité de la source de rayons X. Pour obtenir une pénétration raisonnable du photorésiste par les rayons X produits par la source de rayons X, on choisira, de préférence, une longueur d'onde $g(l) qui ne dépassera pas 13,5 nm, dans un mode de réalisation, et, idéalement qui sera comprise dans la plage 1 à 5 nm, dans l'autre mode de réalisation. La limite inférieure de l'épaisseur de trait est fixée par l'épaisseur de trait obtenue avec des dispositifs d'écriture à microstructure disponibles, tels que ceux du type à faisceau d'électrons.
États désignés : JP, UA.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)