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1. (WO1993009541) STRUCTURES MAGNETO-RESISTIVES DECALEES DE MEMOIRES NUMERIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/009541    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/009240
Date de publication : 13.05.1993 Date de dépôt international : 27.10.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.05.1993    
CIB :
G11C 11/15 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NONVOLATILE ELECTRONICS, INCORPORATED [US/US]; 12800 Industrial Park Boulevard, Plymouth, MN 55441 (US)
Inventeurs : DAUGHTON, James, M.; (US).
POHM, Arthur, V.; (US)
Mandataire : NEILS, Theodore, F.; Kinney & Lange, Suite 1500, 625 Fourth Avenue South, Minneapolis, MN 55415 (US)
Données relatives à la priorité :
786,128 04.11.1991 US
Titre (EN) OFFSET MAGNETORESISTIVE MEMORY STRUCTURES
(FR) STRUCTURES MAGNETO-RESISTIVES DECALEES DE MEMOIRES NUMERIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A digital memory having a plurality of electrically connected bit structures (12) extending over a path with adjacent ones offset from one another in a direction substantially perpendicular to that path. The bit structures (12) are formed of two ferromagnetic films (16, 17) with an exchange coupling barrier (15) therebetween.
(FR)Mémoire numérique comprenant une pluralité de structures (12) de bit reliées électriquement s'étendant le long du passage sur lequel les structures adjacentes sont décalées les unes par rapport aux autres dans un sens pratiquement perpendiculaire à ce passage. Lesdites structures (12) de bit sont formées de deux films ferromagnétiques (16, 17) entre lequels est intercalée une barrière (15) de couplage d'échange.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)