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1. (WO1993009487) CIRCUIT DE REFERENCE DE TENSION REGLABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1993/009487    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/008984
Date de publication : 13.05.1993 Date de dépôt international : 28.10.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.05.1993    
CIB :
G05F 3/24 (2006.01)
Déposants : LATTICE SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 5555 N.E. Moore Court, Hillsboro, OR 97124 (US)
Inventeurs : THELEN, Donald, C., Jr.; (US)
Mandataire : HEID, David, W.; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel, 25 Metro Drive, Suite 700, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
785,442 29.10.1991 US
Titre (EN) TUNABLE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE REFERENCE DE TENSION REGLABLE
Abrégé : front page image
(EN)A voltage reference circuit for providing a predetermined reference voltage at an ouput terminal (N2) which is independent of variation in supply voltage. The voltage reference circuit includes first and second semiconductor elements (T1, T2) coupled between supply voltage terminals (4, 5) of a power supply, with the first and second semiconductor elements (T1, T2) being connected in series with first and second impedances (R1, R2). The reference voltage is provided at the common terminal (N2) of the first and second impedances. The temperature coefficient of voltages produced by the first and second semiconductor elements (T1, T2) in combination with the first and second impedances (R1, R2) provide a reference voltage with a predetermined temperature coefficient. A tuning circuit (3) is also included to permit fine adjustment of voltage level changes due to process variations.
(FR)Circuit de référence de tension servant à produire une tension de référence prédéterminée sur une borne de sortie (N2) indépendante de la variation de la tension d'alimentation. Le circuit de référence de tension comprend un premier et un deuxième élément semiconducteur (T1, T2) couplés entre les bornes de tension d'alimenaation (4, 5) d'une alimentation en puissance, lesdits premier et deuxième éléments semiconducteurs (T1, T2) étant branchés en série à une première et une deuxième impédance (R1, R2). La tension de référence se produit sur la borne commune (N2) des première et deuxième impédances. Le coefficient de température des tensions produites par le premier et par le deuxième élément semiconducteur (T1, T2) en combinaison avec la première et la deuxième impédance (R1, R2) permet d'obtenir une tension de référence présentant un coefficient de température prédéterminé. Le dispositif comprend également un circuit de réglage (3) permettant d'effectuer un réglage précis des modifications du niveau de tension provenant de variations de processus.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)