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1. (WO1992022946) DIODE LASER AVEC ECHELLE A RESEAU D'INDICES DE REFRACTION DU VOLUME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/022946    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/004911
Date de publication : 23.12.1992 Date de dépôt international : 12.06.1992
CIB :
H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/187 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street, Rochester, NY 14650 (US)
Inventeurs : MEYERS, Mark, M.; (US)
Mandataire : KURZ, Warren, W.; 343 State Steet, Rochester, NY 14650-2201 (US)
Données relatives à la priorité :
716,176 17.06.1991 US
Titre (EN) LASER DIODE WITH VOLUME REFRACTIVE INDEX GRATING
(FR) DIODE LASER AVEC ECHELLE A RESEAU D'INDICES DE REFRACTION DU VOLUME
Abrégé : front page image
(EN)A laser diode comprises an optically active planar waveguide (206; 306) and a volume refractive index grating (200; 300) for providing distributed optical feedback of stimulated radiation to the waveguide. According to the invention, the grating comprises a stack of alternating thin layers (202; 302) (each layer being less than 300 nm. thick) of two materials having different indices of refraction. At least one side of the stack provides a smooth, planar surface composed of the respective edges of each grating layer. The active waveguide (206; 306), together with optional cladding and separate-confinement heterostructure (SCH) layers (208, 204; 308, 304), are epitaxially grown atop the smooth grating surface, whereby the respective planes of such layers are substantially perpendicular to the respective planes of the grating layers (202; 302). The smooth surface of the grating is advantageous in that it promotes good crystalline growth of the subsequently grown layers of the laser diode structure and reduces the number of non-radiative recombination sites. According to a preferred embodiment, the active waveguide material is a multiple quantum well layer which is comprised of alternating layers of p-Al¿0.7?Ga¿0.3?As and P-Al¿0.5?Ga¿.95?As, and the two grating materials comprise Al¿x?Ga¿1-x?As, where x is between about 0.04 and 0.3, and Al¿y?Ga¿1-y?As, where y is between about 0.4 and 0.8.
(FR)Diode laser comprenant un guide d'onde plan optiquement actif (206; 306) et une échelle à réseau d'indices de réfraction de volume (200; 300) destinée à fournir au guide d'onde le retour optique distribué du rayonnement stimulé. Dans cette invention, l'échelle à réseau comprend un empilement de minces couches alternées (202; 302) (dont l'épaisseur est inférieure à 300 nm) de deux matériaux ayant des indices de réfraction différents. Au moins un des côtés de l'empilement constitue une surface plane, lisse composée des bords respectifs de chaque couche de l'échelle à réseau. Le guide d'onde actif (206; 306) ainsi que le placage facultatif et les couches (208; 204; 308; 304) de l'hétérostructure de séparation-confinement (HSC) sont développés par croissance épitaxiale sur le dessus de la surface du réseau lisse, ceci ayant pour effet que les plans respectifs de ces couches sont sensiblement perpendiculaires aux plans respectifs des couches de réseau (202; 302). La surface lisse du réseau est avantageuse en ce qu'elle stimule la bonne croissance cristalline des couches développées suivantes de la structure de diode laser et réduit le nombre des sites de recombinaison non rayonnants. Dans un mode d'exécution préféré, le matériau du guide d'onde actif est une couche à plusieurs puits quantiques qui est constituée de couches alternées de p-Al¿0,7?Ga¿0,3?As et de P-Al¿0,5?Ga¿0,95?As, et les deux matériaux du réseau comprennent du Al¿x?Ga¿1-x?As, dans lequel x est compris entre environ 0,04 et 0,3, et du Al¿y?Ga¿1-y?, dans lequel y est compris entre environ 0,4 et 0,8.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)