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1. (WO1992022922) PROCEDE DE CROISSANCE EN CONDITIONS CONTROLEES DE FILMS MONOCRISTALLINS DE POLYTYPES DE CARBURE DE SILICIUM SUR DES PLAQUETTES DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/022922    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/005031
Date de publication : 23.12.1992 Date de dépôt international : 12.06.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.01.1993    
CIB :
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01)
Déposants : CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY [US/US]; 2040 Adelbert Road, Cleveland, OH 44106 (US)
Inventeurs : POWELL, J., Anthony; (US).
LARKIN, David, J.; (US)
Mandataire : DEIOMA, David, B.; Pearne, Gordon, McCoy & Granger, 1200 Leader Building, Cleveland, OH 44114 (US).
MURTAUGH, John, P.; Pearne, Gordon, McCoy & Granger, 1200 Leader Building, Cleveland, OH 44114 (US)
Données relatives à la priorité :
718,315 12.06.1991 US
Titre (EN) PROCESS FOR THE CONTROLLED GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL FILMS OF SILICON CARBIDE POLYTYPES ON SILICON CARBIDE WAFERS
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE EN CONDITIONS CONTROLEES DE FILMS MONOCRISTALLINS DE POLYTYPES DE CARBURE DE SILICIUM SUR DES PLAQUETTES DE CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)This invention is a method for the controlled growth of single-crystal semiconductor-device-quality films of SiC polytypes on vicinal (0001) SiC wafers with low tilt angles. Both homoepitaxial and heteroepitaxial SiC films can be produced on the same wafer. In particular, 3C-SiC and 6H-SiC films can be produced within selected areas of the same 6H-SiC wafer.
(FR)Procédé de croissance en conditions contrôlées de films monocristallins semiconducteurs de qualité de polytypes de carbure de silicium sur des plaquettes de carbure de silicium adjacentes (0001) à faible angle d'inclinaison. Des films de carbure de silicium tant homoépitaxiaux que hétéroépitaxiaux peuvent être élaborés sur la même plaquette. Des films 3C-SiC et 6H-SiC peuvent notamment être élaborés dans certaines zones d'une seule et même plaquette 6H-SiC.
États désignés : AU, CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)