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1. (WO1992022070) MEMOIRE STATIQUES ET PROCEDES DE LECTURE DE MEMOIRES STATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/022070    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/004200
Date de publication : 10.12.1992 Date de dépôt international : 28.05.1992
CIB :
G11C 11/419 (2006.01)
Déposants : INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 3236 Scott Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : ANG, Michael, Anthony; (US).
PILLING, David, J.; (US)
Mandataire : KWOK, Edward, C.; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel, 25 Metro Drive, Suite 700, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
709,924 30.05.1991 US
Titre (EN) STATIC MEMORIES AND METHODS OF READING STATIC MEMORIES
(FR) MEMOIRE STATIQUES ET PROCEDES DE LECTURE DE MEMOIRES STATIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The bit lines (BL, BL) of a static memory (110A) are biased dynamically at the power supply voltage VCC or at least closer to VCC than the mid-point between VCC and the reference voltage VSS. Such biasing provides a better read-disturb immunity, higher speed, and reduced power consumption. Such biasing allows to obtain fast a high differential voltage on the bit lines (BL, BL) during a read and thus allows, in some embodiments, to eliminate a pre-amplifier amplifying the bit line (BL, BL) differential voltage.
(FR)Les lignes de bits (BL, BL) d'une mémoire statique (110A) sont polarisées dynamiquement à la tension d'alimentation en puissance VCC, ou, au moins, à un point plus proche de VCC que le point médian entre VCC et la tension de référence VSS. Cette polarisation permet d'obtenir une meilleure immunité contre les perturbations à la lecture, une vitesse plus élevée et une consommation d'énergie réduite. Elle permet également d'obtenir rapidement une tension différentielle élevée sur les lignes de bits (BL, BL) pendant une lecture et, de ce fait, d'éliminer, dans quelques modes de réalisation, la présence d'un pré-amplificateur amplifiant la tension différentielle des lignes de bits (BL, BL).
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)