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1. (WO1992019084) DISPOSITIF EN SILICIUM ELECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/019084    N° de la demande internationale :    PCT/GB1992/000547
Date de publication : 29.10.1992 Date de dépôt international : 25.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.11.1992    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H05B 33/12 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOVERNMENT OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAIN AND NORTHERN IRELAND [GB/GB]; Whitehall, London SW1A 2HB (GB) (Tous Sauf US).
CANHAM, Leigh, Trevor [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
LEONG, Weng, Yee [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
COX, Timothy, Ingram [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CANHAM, Leigh, Trevor; (GB).
LEONG, Weng, Yee; (GB).
COX, Timothy, Ingram; (GB)
Mandataire : BECKHAM, Robert, William; Intellectual Property Department, R69 Building, DRA Farnborough, Hampshire GU14 6TD (GB)
Données relatives à la priorité :
9108176.0 17.04.1991 GB
Titre (EN) ELECTROLUMINESCENT SILICON DEVICE
(FR) DISPOSITIF EN SILICIUM ELECTROLUMINESCENT
Abrégé : front page image
(EN)An electroluminescent silicon device (10) includes a silicon structure (12) which comprises a bulk silicon layer (14) and a porous silicon layer (16). The porous layer (16) has merged pores (20) which define silicon quantum wires (18). The quantum wires (18) have a surface passivation layer (22). The porous layer (16) exhibits photoluminescence under ultra-violet irradiation. The porous layer (16) is pervaded by a conductive material such as an electrolyte (24) or a metal (48). The conductive material (24) ensures that an electrically continuous current path extends through the porous layer (16); it does not degrade the quantum wire surface passivation (22) sufficiently to render the quantum wires (18) non-luminescent, and it injects minority carriers into the quantum wires. An electrode (26) contacts the conductive material (24) and the bulk silicon layer has an Ohmic contact (28). When biased the electrode (26) is the anode and the silicon structure (12) is the cathode. Electroluminescence is then observed in the visible region of the spectrum.
(FR)Un dispositif en silicium électroluminescent (10) comporte une structure en silicium (12) qui comprend une couche en silicium en masse (14) ainsi qu'une couche de silicium poreuse (16). La couche poreuse (16) possède des pores (20) intégrés qui définissent des fils quantiques en silicium (18). Les fils quantiques (18) possèdent une couche de passivation de surface (22). La couche poreuse (16) présente des propriétés photoluminescentes sous irradiations ultraviolettes. La couche poreuse (16) est pénétrée par un matériau conducteur tel qu'un électrolyte (24) ou un métal (48). Le matériau conducteur (24) assure le passage continu d'un courant électrique à travers la couche poreuse (16); il ne dégrade pas la surface de passivation (22) des fils quantiques ce qui aurait pour effet de les rendre non-luminescents, et il injecte des porteurs minoritaires dans les fils quantiques. Une électrode (26) vient en contact avec le matériau conducteur (24) et la couche en silicium en masse possède un contact ohmique (28). Lorsqu'elle est polarisée, l'électrode (26) constitue l'anode et la structure en silicium (12) constitue le cathode. On observe alors le phénomène d'électroluminescence dans la zone visible du spectre.
États désignés : CA, GB, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)