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1. (WO1992019010) PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUES MINCES DONT LES STRUCTURES SUPERFICIELLES PRESENTENT DES HAUTEURS OU PROFONDEURS DIFFERENTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/019010    N° de la demande internationale :    PCT/EP1992/000836
Date de publication : 29.10.1992 Date de dépôt international : 27.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.11.1992    
CIB :
F04B 43/04 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : WESTONBRIDGE INTERNATIONAL LIMITED [IE/IE]; 43, 45 Northumberland Rod, Ballsbridge, Dublin 4 (IE) (Tous Sauf US).
SAAMAN, Ary [NL/CH]; (CH)
Inventeurs : SAAMAN, Ary; (CH)
Mandataire : MICHELI ET CIE; 122, rue de Genève, Case postale 61, CH-1226 THONEX GENEVE (CH)
Données relatives à la priorité :
9107935.1 15.04.1991 GB
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING THIN PLATES HAVING SURFACE STRUCTURES OF DIFFERENT DEPTHS OR HEIGHTS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUES MINCES DONT LES STRUCTURES SUPERFICIELLES PRESENTENT DES HAUTEURS OU PROFONDEURS DIFFERENTES
Abrégé : front page image
(EN)A silicon wafer (2-8) having surface structures of different depths or heights on one or both sides, e.g. for use as an integral part of a micropump is produced by a particular process. In order to reduce the number of photolithographic steps in a production process requiring several etching or growing steps, the starting wafer (3) comprises a central layer (8) which is covered on both sides with oxide layers (9a, 10) of different thicknesses. In a first process phase both oxide layers (9a, 10) receive surface cavities (12, 12a) which, on the side of the thinner layer (9b) completely traverse the latter, whereas they do not reach the central layer (8) on the side of the thicker oxide layer (10a). While a first etching or growing operation on the central layer (8) is carried out on the wafer (5) which only affects the side of the central layer (8) which carries the thinner layer (9a) while the other side is still entirely covered by the thicker layer (10a, 10c), the second etching or growing step on the central layer (8) is carried out after the thicker layer (10a) has been reduced such as to expose the central layer (8) at the initially formed cavities (12a). Thus, the depressions (14) formed at the side of the initially thicker oxide layer during this second etching step on the central layer are less deep, or in the case of a growing process the first deposits are less high than the depressions (13) or deposits formed on the other side during both etching or growing steps.
(FR)On produit à l'aide d'un processus spécial une tranche de silicium (2-8) dont l'un et/ou l'autre des côtés présente(nt) des structures superficielles dont les profondeurs ou les hauteurs sont différentes, ladite tranche étant destinée, par exemple, à s'intégrer à une micropompe. Afin de réduire le nombre d'étapes de photogravure dans un processus de production exigeant plusieurs étapes d'attaque ou de croissance, la tranche de départ (3) comporte une couche centrale (8) dont les deux faces sont revêtues de couches d'oxyde (9a, 10) dont les épaisseurs diffèrent. Dans une première phase du processus, on forme dans les deux couches d'oxyde (9a, 10) des cavités superficielles (12, 12a) traversant entièrement la couche moins épaisse (9b) mais n'atteignant pas la couche centrale (8) du côté de la couche d'oxyde plus épaisse (10a). Tandis que la première étape d'attaque ou de croissance sur la couche centrale (8) s'effectue sur la tranche (5) en n'attaquant que le côté de la couche centrale (8) qui porte la couche moins épaisse (9a) pendant que l'autre côté est toujours entièrement revêtu de la couche plus épaisse (10a, 10c), la seconde étape d'attaque ou de croissance sur la couche centrale (8) s'effectue une fois que l'on a réduit la couche plus épaisse (10a) de manière à mettre à nu ladite couche centrale (8) au niveau des cavités formées initialement (12a). De ce fait, les creux (14) formés au cours de ladite seconde étape d'attaque du côté de la couche d'oxyde initialement plus épaisse sont moins profonds. Dans le cas d'un processus de croissance, les premiers dépôts sont moins élevés que les creux (13) ou les dépôts formés de l'autre côté au cours des deux étapes d'attaque ou de croissance.
États désignés : AU, CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)