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1. (WO1992019009) PROCEDE D'AJUSTAGE AU LASER ET CIRCUIT INTEGRE RESULTANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/019009    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/003354
Date de publication : 29.10.1992 Date de dépôt international : 23.04.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.11.1992    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 W. Nasa Blvd., Melbourne, FL 32901 (US)
Inventeurs : LIPPITT, Maxwell, W., III; (US)
Mandataire : WANDS, Charles, E.; Evenson, Wands, Edwards, Lenahan & McKeown, 5240 Babcock St., NE, Suite 306, Palm Bay, FL 32905 (US)
Données relatives à la priorité :
689,624 23.04.1991 US
Titre (EN) METHOD OF LASER TRIMMING AND RESULTING IC
(FR) PROCEDE D'AJUSTAGE AU LASER ET CIRCUIT INTEGRE RESULTANT
Abrégé : front page image
(EN)A method including covering the area to be laser trimmed with a first insulative layer (22) having a thickness sufficiently thin that a layer can trim the area through the first insulative layer. An etch stop (26) is formed on the first insulative layer over the aera to be trimmed and covered with a second insulative layer (28). A portion of the second insulative layer is etched to expose the etch stop and a portion of the etch stop is then removed to expose a portion of the first insulative layer and laser trimming is conducted through the exposed first insulative layer. The etch stop is part of a first level of interconnects (24) made of the same material and simultaneously with the etch stop. The area to be trimmed is part of a second level of contacts that interconnect another second material.
(FR)Procédé dans lequel on recouvre une surface devant être ajustée au laser, d'une première couche isolante (22) qui est suffisamment mince pour qu'une couche puisse ajuster la surface à travers la première couche isolante. On forme un arrêt (26) pour l'attaque sur la première couche isolante recouvrant la surface devant être ajustée puis on recouvre ledit arrêt et ladite première couche isolante d'une deuxième couche isolante (28). Une partie de la deuxième couche isolante est attaquée pour exposer l'arrêt pour l'attaque puis on élimine une partie de l'arrêt pour l'attaque afin d'exposer une partie de la première couche isolante et on effectue ensuite l'ajustage au laser à travers la première couche isolante exposée. L'arrêt pour l'attaque fait partie d'un premier niveau d'interconnexions (24) réalisées dans le même matériau et en même temps que l'arrêt pour l'attaque. La surface devant être ajustée fait partie d'un deuxième niveau de contacts qui interconnectent un autre deuxième matériau.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)