WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1992018671) PROCEDE DE CULTURE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/018671    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/003258
Date de publication : 29.10.1992 Date de dépôt international : 22.04.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.1992    
CIB :
C01F 7/02 (2006.01), C30B 7/00 (2006.01)
Déposants : VISTA CHEMICAL COMPANY [US/US]; 12025 Vista Park Drive, Austin, TX 78726 (US)
Inventeurs : BARCLAY, David, A.; (US).
LEWIS, Duane, J.; (US).
DECKER, Lewis, Bernard, Jr.; (US).
CARRADINE, William, R.; (US)
Mandataire : BUSHMAN, C., James; Browning, Bushman, Anderson & Brookhart, 5718 Westheimer, Suite 1800, Houston, TX 77057 (US)
Données relatives à la priorité :
690,164 22.04.1991 US
Titre (EN) PROCESS FOR GROWING CRYSTALS
(FR) PROCEDE DE CULTURE DE CRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)A process for growing crystals at an enhanced rate comprising providing a dispersion of a fluid medium and seed crystals of a metal oxide, introducing feed material comprising a metal oxide into the dispersion and maintaining a uniform mixture of the seed crystals, the feed material and the fluid medium, the feed material having an average crystal size less than the average crystal size of the seed crystals, the feed material being added in an amount and at a rate whereby the seed crystals grow, the feed material providing a soluble nutrient species for deposition of the said crystal to effect crystal growth, the mixture of seed crystals and feed material being treated under conditions which stimulate crystal growth for a period of time sufficient to obtain a desired quantity of a product comprising at least one grown crystal having an average crystal size greater than the average crystal size of the seed crystal.
(FR)Un procédé permettant de cultiver des cristaux à une vitesse accrue consiste à utiliser une dispersion d'un milieu fluide et des germes d'innoculation d'un oxyde métallique, à introduire un matériau d'alimentation comprenant un oxyde métallique dans la dispersion et à maintenir un mélange uniforme des germes d'innoculation, du matériau d'alimentation et du milieu fluide, le matériau d'alimentation ayant une taille moyenne de cristal inférieure à la taille moyenne des germes d'innoculation, le matériau d'alimentation étant ajouté en une quantité et à une vitesse telles que les germes d'innoculation se développent, le matériau d'alimentation constituant une espèce nutritive soluble pour le dépôt du cristal en vue d'effectuer sa croissance, le mélange des germes d'innoculation et du matériau d'alimentation étant traité dans des conditions qui stimulent la croissance des cristaux pendant une période de temps suffisante pour obtenir une quantité désirée d'un produit comprenant au moins un cristal développé ayant une taille moyenne supérieure à la taille moyenne du germe d'innoculation.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CS, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MW, NL, NO, PL, RO, RU, SD, SE.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)