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1. (WO1992016976) PROCEDE AMELIORE DE PRODUCTION D'ANTIFUSIBLES DANS UN DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE ET STRUCTURE OBTENUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/016976    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/001995
Date de publication : 01.10.1992 Date de dépôt international : 12.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.10.1992    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : CROSSPOINT SOLUTIONS, INC. [US/US]; 5000 Old Ironsides Drive, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : DIXIT, Pankaj; (US).
INGRAM William, P., III; (US).
HOLZWORTH, Monta, R.; (US).
KLEIN, Richard; (US)
Mandataire : AKA, Gary, T.; Townsend and Townsend, One Market Plaza, 2000 Steuart Tower, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
672,501 20.03.1991 US
782,837 24.10.1991 US
Titre (EN) IMPROVED METHOD OF FABRICATING ANTIFUSES IN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND RESULTING STRUCTURE
(FR) PROCEDE AMELIORE DE PRODUCTION D'ANTIFUSIBLES DANS UN DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE ET STRUCTURE OBTENUE
Abrégé : front page image
(EN)Various improvements in the fabrication of an antifuse having silicon-amorphous silicon-metal layer structure are presented. Included are improved deposition techniques for the amorphous silicon layer (27). The improvements include steps for the fabrication of such an antifuse without the use of platinum and the resulting antifuse and contact structures.
(FR)L'invention concerne diverses améliorations dans la production d'un antifusible présentant une structure en couche de silicium amorphe - silicium metal. L'invention concerne également des techniques de dépôt améliorées de la couche de silicium amorphe (27). Les améliorations comprennent des étapes de production dudit antifusible sans utilisation de platine, et l'antifusible ainsi que des structures de contact ainsi obtenues.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)