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1. (WO1992016966) PROCEDE DE PREPARATION ET DE DOPAGE DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE GALLIUM MONOCRISTALLIN TRES ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/016966    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/002242
Date de publication : 01.10.1992 Date de dépôt international : 18.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.10.1992    
CIB :
C30B 23/08 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : BOSTON UNIVERSITY [US/US]; 765 Commonwealth Avenue, Boston, MA 02215 (US)
Inventeurs : MOUSTAKAS, Theodore, D.; (US)
Mandataire : PASTERNACK, Sam; Choate, Hall & Stewart, Exchange Place, 53 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
670,692 18.03.1991 US
Titre (EN) A METHOD FOR THE PREPARATION AND DOPING OF HIGHLY INSULATING MONOCRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THIN FILMS
(FR) PROCEDE DE PREPARATION ET DE DOPAGE DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE GALLIUM MONOCRISTALLIN TRES ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a method of preparing highly insulating GaN single crystal films in a molecular beam epitaxial growth chamber. A single crystal substrate is provided with the appropriate lattice match for the desired crystal structure of GaN. A molecular beam source of Ga and source of activated atomic and ionic nitrogen are provided within the growth chamber. The desired film is deposited by exposing the substrate to Ga and nitrogen sources in a two step growth process using a low temperature nucleation step and a high temperature growth step. The low temperature process is carried out at 100-400 °C and the high temperature process is carried out at 600-900 °C. The preferred source of activated nitrogen is an electron cyclotron resonance microwave plasma.
(FR)Procédé de préparation de couches monocristallines de GaN très isolant dans une chambre de croissance épitaxiale à faisceau moléculaire. On confère à un substrat monocristallin la structure en treillis appropriée pour obtenir la structure cristalline de GaN désirée. Une source de faisceaux moléculaires de Ga et une source d'azote atomique et ionique activé sont présentes dans la chambre de croissance. On dépose la couche désirée en exposant le substrat aux sources de Ga et d'azote dans un processus de croissance en deux étapes comprenant une étape de nucléation à basse température et une étape de croissance à haute température. Le processus à basse température est exécuté à 100-400 °C et le processus à haute température est exécuté à 600-900 °C. La source préférée d'azote activé est un plasma à micro-ondes de résonance produit par un cyclotron à électrons.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)