WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1992016343) POSITIONNEMENT, FOCALISATION ET CONTROLE PAR FAISCEAU SELECTIF DE DEPOTS REALISES A PARTIR DE LA PHASE GAZEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/016343    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/002008
Date de publication : 01.10.1992 Date de dépôt international : 13.03.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.10.1992    
CIB :
B23K 26/04 (2006.01), B23K 26/08 (2006.01), B29C 67/00 (2006.01), C23C 16/01 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street, Austin, TX 78701 (US)
Inventeurs : MARCUS, Harris, L.; (US)
Mandataire : BAHLER, David, D.; Arnold, White & Durkee, 750 Bering Drive, P.O. Box 4433, Houston, TX 77210 (US)
Données relatives à la priorité :
670,416 15.03.1991 US
Titre (EN) POSITIONING, FOCUSING AND MONITORING OF GAS PHASE SELECTIVE BEAM DEPOSITION
(FR) POSITIONNEMENT, FOCALISATION ET CONTROLE PAR FAISCEAU SELECTIF DE DEPOTS REALISES A PARTIR DE LA PHASE GAZEUSE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for selectively depositing a layer of material from a gas phase to produce a part comprising a plurality of deposited layers. The apparatus includes a computer (50) controlling energy beam (46) (laser), to direct energy into a chamber containing the gas phase to produce photodecomposition or thermal decomposition of said phase and selectively deposit material within the boundaries of the cross-sectional regions of the part. For each cross section, the aim of the laser beam is scanned (48) over a target area (26) to deposit material within the boundaries of the cross section. Each subsequent layer is joined to the preceding layer to produce a part. The present invention further contemplates an n-degree of freedom positioning apparatus for positioning a target outer layer (42) and a detecting apparatus which can non-intrusively detect the position and thickness of the deposited layer, both of which are close looped into a computer to produce the desired part.
(FR)On décrit un appareil permettant de déposer une couche de matière à partir de la phase gazeuse afin de produire un élément composé d'une pluralité de couches déposées. L'appareil comprend un ordinateur (50) qui commande un faisceau à énergie (46) (laser), afin de diriger l'énergie dans une chambre contenant la phase gazeuse, en vue de réaliser la photodécomposition ou la décomposition thermique de la phase gazeuse et de déposer de la matière sélectivement dans les limites des zones de section transversale de l'élément. Pour chaque section transversale on dirige le faisceau laser de manière à balayer (68) une zone cible (26), pour déposer de la matière dans les limites de la section transversale. Chaque couche successive est incorporée à la couche précédente de manière à produire un élément. L'invention envisage également un appareil de positionnement à n degrés de liberté pour positionner une couche extérieure de cible (42), ainsi qu'un appareil de détection qui peut détecter, de manière non invasive, la position et l'épaisseur de la couche déposée, ces deux appareils étant reliés à l'ordinateur en boucle fermée afin de gérer la production de l'élément voulu.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CS, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, PL, RO, RU, SD, SE.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)