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1. WO1992014286 - LASER A DIODE A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/1992/014286
Date de publication 20.08.1992
N° de la demande internationale PCT/US1992/000743
Date du dépôt international 29.01.1992
CIB
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
CPC
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Déposants
  • EASTMAN KODAK COMPANY [US]/[US]
Inventeurs
  • CONNOLLY, John, Charles
  • PALFREY, Stephen, Lyon
Mandataires
  • ARNDT, Dennis, R.
Données relatives à la priorité
651,07606.02.1991US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DIODE LASER
(FR) LASER A DIODE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A distributed feedback semiconductor diode laser comprising a substrate (12) of n-type conductivity gallium arsenide having a channel (18) along one surface thereof between its end surfaces. A first clad layer (24) of n-type gallium aluminum arsenide is on the surface of the substrate. The first clad layer fills the channel and has a planar surface. A thin active layer (26) of undoped aluminum gallium arsenide is on the first clad layer and a spacer layer (28) of p-type conductivity aluminum gallium arsenide is on the active layer. A grating layer of p-type (30) conductivity aluminum gallium arsenide is on the space layer and has a second order grating therein (31) which extends across the channel in the substrate. A second clad layer of p-type conductivity aluminum (32) gallium arsenide is on the grating layer and a cap layer (34) of n-type conductivity gallium arsenide is on the second clad layer. A p-type conductivity (36) contact region extends through the cap layer to the second contact layer and is over the channel in the substrate. Conductive contacts are on the contact (42, 44) region and a second surface of the substrate. The composition and thicknesses of the active layer, spacer layer and grating layer are such as to provide the output beam of the diode laser with a relatively low divergence angle of about 27°.
(FR)
L'invention se rapporte à un laser à diode à semi-conducteur à réaction répartie, qui comprend un substrat (12) d'arséniure de gallium à conductivité type N, comportant un canal (18) le long de l'une de ses surfaces entre ses surfaces d'extrémités. Une première couche de placage (24) à l'arsénure de gallium et d'aluminium à conductivité type N est placée sur la surface du substrat. Cette première couche de placage remplit le canal et présente une surface plane. Une mince couche active (26) d'arséniure d'aluminium et de gallium non dopé est placée sur la première couche de placage et une couche d'espacement (28) d'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P est placée sur cette couche active. Une couche à treillis d'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P (30) est prévue sur la couche d'espacement et contient un treillis de second ordre (31), lequel s'étend en travers du canal prévu dans le substrat. Une seconde couche de placage à l'arséniure d'aluminium et de gallium à conductivité type P (32) est placée sur la couche à treillis et une couche de couronnement (34) à l'arséniure de gallium à conductivité type N est placée sur cette seconde couche de placage. Une région de contact à conductivité type P (36) s'étend à travers la couche de couronnement jusqu'à la seconde couche de contact et se trouve située au-dessus du canal prévu dans le substrat. Les contacts conducteurs sont établis sur la région de contact (42, 44) et sur une seconde surface du substrat. La composition et les épaisseurs de la couche active, de la couche d'espacement et de la couche à treillis sont conçues pour conférer au faisceau de sortie du laser à diode un angle de divergence relativement faible égal à 27° environ.
Également publié en tant que
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