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1. (WO1992010867) SYSTEME ASSERVI EN PHASE DE LASERS A SURFACE EMETTRICE ET A POUVOIR REFLECHISSANT MODULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/010867    N° de la demande internationale :    PCT/US1991/007632
Date de publication : 25.06.1992 Date de dépôt international : 18.10.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.06.1992    
CIB :
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01)
Déposants : BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. [US/US]; 290 West Mount Pleasant Avenue, Livingston, NJ 07039-2729 (US)
Inventeurs : KAPON, Elyahou; (US).
ORENSTEIN, Meir; (IL)
Mandataire : WINTER, Richard, C.; PCT Int'l., Inc., International Coordinator, Room 2E-304, Bell Communications Research, Inc., 290 West Mount Pleasant Avenue, Livingston, NJ 07039 (US).
GUENZER, Charles, S.; Bell Communications Research, Inc., 290 West Mount Pleasant Avenue, Livingston, NJ 07039-2729 (US)
Données relatives à la priorité :
628,571 14.12.1990 US
Titre (EN) PHASE-LOCKED ARRAY OF REFLECTIVITY-MODULATED SURFACE-EMITTING LASERS
(FR) SYSTEME ASSERVI EN PHASE DE LASERS A SURFACE EMETTRICE ET A POUVOIR REFLECHISSANT MODULE
Abrégé : front page image
(EN)A method, and the resulting device, of fabricating an array of vertical-cavity, surface-emitting lasers that allows the lasers to be phase-locked. The growth of the laterally unpatterned epitaxial vertical-cavity structure (14, 16, 18, 20) includes an upper mirror (22) which is only partially reflective. A gold layer (24) supplies the final reflectivity. A grid pattern is then etched in the gold layer, and a lower reflectivity metal layer (30) is deposited over the gold layer and into the grid. The lower reflectivity metal both provides a common contact to the laser elements but also degrades the mirror reflectivity in the grid portion. The lower reflectivity prevents the grid portion from lasing. The areas within the grid pattern are separate lasers, but they are so closely separated that they lase coherently among themselves.
(FR)Procédé et dispositif en résultant, destinés à fabriquer un système de lasers à cavité verticale et à surface émettrice qui permet aux lasers d'être asservis en phase. Le développement de la structure à cavité verticale épitaxiale sans motif latéral (14, 16, 18, 20) comprend un miroir supérieur (22) qui n'est que partiellement réfléchissant. Une couche d'or (24) confère le pouvoir réfléchissant final. Un motif en grille est ensuite constitué par attaque de la couche d'or et une couche de métal à plus faible pouvoir réfléchissant (30) est déposée sur la couche d'or et dans le motif en grille. Le métal à plus faible pouvoir réfléchissant fournit un contact commun aux éléments de laser, mais il diminue également le pouvoir réfléchissant du miroir dans la partie en grille. Ce pouvoir réfléchissant plus faible empêche la partie en grille d'émettre un faisceau laser. Les zones situées au sein du motif en grille sont des lasers séparés, mais les séparations sont si étroites qu'ils émettent un faisceau laser cohérent entre eux.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MC, MG, MW, NL, NO, PL, RO, SD, SE, SU.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)