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1. (WO1992010837) CELLULE DE MEMOIRE EEPROM A UN SEUL TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/010837    N° de la demande internationale :    PCT/US1991/008507
Date de publication : 25.06.1992 Date de dépôt international : 13.11.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.1992    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/08 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : NEXCOM TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1031 E. Duane Avenue, Suite H, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Inventeurs : CHALLA, Nagesh; (US)
Mandataire : SCHATZEL, Thomas, E.; 3211 Scott Boulevard, Santa Clara, CA 95054 (US).
BLUMBACH WESER BERGEN KRAMER ZWIRNER HOFFMANN; Sonnenberger Strasse 100, D-6200 Wiesbaden (DE)
Données relatives à la priorité :
625,807 11.12.1990 US
Titre (EN) SINGLE TRANSISTOR EEPROM MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE EEPROM A UN SEUL TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)A single-transistor non-volatile memory cell (50) MOS transistor (54) with a floating gate (56) and a control gate (58) using two levels of polysilicon and a tunnel dielectric that overlaps the drain area (60) wherein a tunneling of charge can take place between the drain (60) and the floating gate (56) by means of a system of applied voltages to the control gate (58) and drain (60).
(FR)L'invention se rapporte à un transistor MOS (54) avec cellule de mémoire rémanente à un seul transistor (50), qui comporte une grille flottante (56) et une grille de commande (58) utilisant deux niveaux de polysilicium et un diélectrique tunnel, qui chevauche la zone de drain (60), et dans lequel un effet tunnel concernant la charge peut se produire entre le drain (60) et la grille flotttante (56) grâce à un système de tensions s'appliquant à la grille de commande (58) et au drain (60).
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)