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1. (WO1992010003) PROCEDE SERVANT A LA FABRICATION DE MINCES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/010003    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/001657
Date de publication : 11.06.1992 Date de dépôt international : 29.11.1991
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 146 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIDA, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGATA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIDA, Shoji; (JP).
YAMAGATA, Kenji; (JP)
Mandataire : OGIUE, Toyonori; 3F Tamayanagi Building, 3-1, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/332231 29.11.1990 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN SILICON SOLAR CELL
(FR) PROCEDE SERVANT A LA FABRICATION DE MINCES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The surface of a silicon wafer is exposed periodically through very small openings of an insulation layer provided on the surface. In this state, angular lumps of single-crystal silicon are generated near the opening parts by a selective epitaxial growth and a lateral growth, and are grown until they are collided with each other. The insulation layer is removed through gaps left between the angular lumps, and a resin is embedded in the gaps. After electrode layers are formed on the surfaces of the angular lumps, the surfaces are fastened on a base board via a resin. Then, the angular lumps of single-crystal silicon are separated from the silicon wafer, and reverse electrodes are formed on them.
(FR)Dans le procédé décrit, la surface d'une tranche de silicium est dépouillée de sa couche isolante à intervalles espacés par de très petites ouvertures ménagées dans ladite couche isolante recouvrant ladite surface. Ainsi, des bosses angulaires de silicium monocristallin se forment à proximité des ouvertures par croissance épitaxiale sélective et par croissance latérale et grandissent jusqu'à entrer en contact les unes avec les autres. La couche isolante est enlevée par les espaces libres laissés entre les bosses angulaires et une résine est coulée dans ces espaces libres. Après la formation de couches électrodes sur les surfaces des bosses angulaires, les surfaces sont collées sur une plaquette de base au moyen d'une résine. Les bosses angulaires de silicium monocristallin sont ensuite séparées de la tranche de silicium et des électrodes inverses sont formées sur elles.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)