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1. (WO1992009107) COMMUTATEUR ELECTRONIQUE, EN PARTICULIER UN TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/009107    N° de la demande internationale :    PCT/DE1991/000825
Date de publication : 29.05.1992 Date de dépôt international : 23.10.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.04.1992    
CIB :
H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
PLUNTKE, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PLUNTKE, Christian; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)
Données relatives à la priorité :
P 40 35 500.4 08.11.1990 DE
Titre (DE) ELEKTRONISCHER SCHALTER, INSBESONDERE EIN TRANSISTOR
(EN) ELECTRONIC SWITCH, IN PARTICULAR IN THE FORM OF A TRANSISTOR
(FR) COMMUTATEUR ELECTRONIQUE, EN PARTICULIER UN TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein elektronischer Schalter, insbesondere ein Transistor, mit mindestens einer zwischen Bereichen verschiedener Dotierung verlaufenden Grenzschicht innerhalb eines Halbleiters vorgeschlagen, der sich dadurch auszeichnet, daß die Grenzschicht mindestens eine Spannungsbegrenzungszone (Z) aufweist, die unter einem Krümmungsradius (R) verläuft, der kleiner oder maximal so groß ist wie die Diffusionstiefe (X¿JB?) der Diffusionsschicht.
(EN)Proposed is an electronic switch, in particular a switch in the form of a transistor, with, within a semiconductor material, at least one boundary layer disposed between regions of different doping density. The switch is characterized in that the boundary layer includes at least one voltage-limiting zone (Z) with a radius of curvature (R) which is less than or, at the most, equal to the diffusion depth (X¿JB?) of the diffusion layer.
(FR)Il est proposé un commutateur électronique, en particulier un transistor, comportant au moins une couche de jonction située entre des zones de dopage différent à l'intérieur d'un semiconducteur, caractérisé en ce que la couche de jonction présente au moins une zone de limitation de tension (Z) ayant un rayon de courbure (R) lequel est moins grand ou au maximum aussi grand que la pronfondeur de diffusion (X¿JB?) de la couche de diffusion.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)