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1. (WO1992007971) DEPOT EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE DE FILMS METALLIQUES A PARTIR DE COMPLEXES DE BETA-DICETONATE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/007971    N° de la demande internationale :    PCT/US1991/000487
Date de publication : 14.05.1992 Date de dépôt international : 23.01.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.05.1992    
CIB :
C23C 16/18 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : BAUM, Thomas, Hall; (US).
LARSON, Carl, Eric; (US).
REYNOLDS, Scott, Kevin; (US)
Mandataire : MELLER, Michael, N.; Meller & Associates, P.O. Box 2198, Grand Central Station, New York, NY 10163 (US)
Données relatives à la priorité :
602,970 24.10.1990 US
Titre (EN) CVD OF METAL FILMS FROM BETA-DIKETONATE COMPLEXES
(FR) DEPOT EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE DE FILMS METALLIQUES A PARTIR DE COMPLEXES DE BETA-DICETONATE
Abrégé : front page image
(EN)Chemical vapor deposition precursors for depositing copper, silver, rhodium and iridium metals on substrates comprise ligand stabilized +1 metal $i(beta)-diketonate coordination complexes of said metals. Uses of such precursors in CVD processes are also provided.
(FR)Cette invention concerne des précurseurs de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique permettant de déposer des métaux tels que du cuivre, de l'argent, du rhodium et de l'iridium sur des substrats comprenant des complexes de coordination desdits métaux de $i(bêta)-dicétonate de métal +1 stabilisé par ligand. L'invention concerne également les utilisations de ces précurseurs dans des procédés de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)