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1. (WO1992002985) COMMUTATEUR A TRANSISTOR SANS INVERSION A TROIS BORNES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/002985    N° de la demande internationale :    PCT/US1991/005467
Date de publication : 20.02.1992 Date de dépôt international : 01.08.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.1992    
CIB :
H03K 17/567 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : CONGDON, James, S. [US/US]; (US)
Inventeurs : CONGDON, James, S.; (US)
Mandataire : KRIEGSMAN, Irving, M.; 883 Edgell Road, Framingham, MA 01701 (US)
Données relatives à la priorité :
562,215 03.08.1990 US
Titre (EN) THREE TERMINAL NON-INVERTING TRANSISTOR SWITCH
(FR) COMMUTATEUR A TRANSISTOR SANS INVERSION A TROIS BORNES
Abrégé : front page image
(EN)A three terminal non-inverting transistor switch includes in one embodiment (11) a first terminal (13), a second terminal (15) and a third terminal (17), a depletion mode field effect transistor (FET) (19) having a drain electrode (23) and a source electrode (25) that define a current path in the transistor (19) and are connected to the third terminal (17) and second terminal (15), respectively, and a gate electrode (27) for controlling the current flow in the transistor current path. A negative voltage converter (21) having an input electrode (29), an output electrode (31) and a return electrode (33) has its output electrode (31) coupled to the gate electrode (27) in the FET (19), its return electrode (33) being coupled to the source electrode (25) and its input electrode (29) coupled to the first terminal (13). In operation, the current flow between the drain electrode (23) and the source electrode (25) will be high when a low signal is applied to the input electrode (29) with respect to the source electrode (25) and will be lower when a higher signal is applied to the input electrode (29) with respect to the source electrode (25).
(FR)Commutateur à transistor sans inversion à trois bornes qui comprend, selon une réalisation (11), une première borne (13), une deuxième borne (15) et une troisième borne (17), un transistor à effet de champ (TEC) à déplétion possédant une électrode drain (23) et une électrode source (25) qui définissent le trajet suivi par le courant dans le transistor (19) et qui sont reliées, respectivement, à la troisième borne (17) et à la deuxième borne (15), et une électrode grille (27) permettant de commander le passage du courant à travers le transistor. Un convertisseur de tension négative (21) possédant une électrode d'entrée (29), une électrode de sortie (31) et une électrode de retour (33) son électrode de sortie (31) qui est couplée à l'électrode grille (27) du TEC (19), son électrode de retour (33) étant couplée à l'électrode source (25) et son électrode d'entrée (29) étant couplée à la première borne (13). Lors du fonctionnement, le flux de courant entre l'électrode drain (23) et l'électrode source (25) sera plus élevé lors de l'application d'un signal faible à l'électrode d'entrée (29) par rapport à l'électrode source (25) et plus faible lors de l'application d'un signal plus fort à l'électrode d'entrée (29) par rapport à l'électrode source (25).
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)