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1. (WO1992002948) DISPOSITIF DE GRAVURE D'UNE SEULE FACE D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/002948    N° de la demande internationale :    PCT/DE1991/000545
Date de publication : 20.02.1992 Date de dépôt international : 02.07.1991
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.11.1991    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
KUMMER, Nils [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MAREK, Jiri [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WILLMANN, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FINDLER, Günther [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KUMMER, Nils; (DE).
MAREK, Jiri; (DE).
WILLMANN, Martin; (DE).
FINDLER, Günther; (DE)
Données relatives à la priorité :
P 40 24 576.4 02.08.1990 DE
Titre (DE) VORRICHTUNG ZUM EINSEITIGEN ÄTZEN EINER HALBLEITERSCHEIBE
(EN) DEVICE FOR ONE-SIDEDLY ETCHING A SEMICONDUCTOR SLICE
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE D'UNE SEULE FACE D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird eine Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterscheibe (Siliciumwafer) vorgeschlagen, die nach Art einer Ätzdose aus einem wannenförmigen Grundkörper (3, 23) und einem dichtschlüssig auf diesen passenden Deckel (2, 22) besteht. Der Deckel (2, 22) weist an der Oberseite eine Öffnung (5, 25) zum Durchtritt der Ätzflüssigkeit auf. Die Ätzdose trägt mindestens zwei O-Ringe (7, 8, 27, 28), von denen einer zentrisch im Grundkörper (3, 23), der andere zentrisch im Deckel (2, 22) angeordnet ist. Zwischen die O-Ringe (7, 8, 27, 28) ist der Wafer (1) eingespannt. Ein mit dem eines Federkontaktes (11, 41) mit dem Wafer verbundener Draht (10) ist durch eine durch den Grundkörper (3, 23) verlaufende Bohrung (4) aus der Ätzdose herausgeführt.
(EN)A device for one-sidedly etching a semiconductor slice (silicium wafer) has a tub-shaped base body (3, 23) upon which is hermetically fitted a lid (2, 22), in the nature of an etching box. The upper side of the lid (2, 22) is provided with an opening (5, 25) through which flows the etching liquid. The etching box bears at least two O-rings seals (7, 8, 27, 28), of which one is centrally arranged in the base body (3, 23) and the other is centrally arranged in the lid (2, 22). A wire (10) of a spring contact (11, 41) connected with the wafer is led out of the etching box through a bore (4) in the base body (3, 23).
(FR)Un dispositif de gravure d'une seule face d'une tranche semi-conductrice (galette de silicium) comprend un corps de base (3, 23) en forme de cuvette, sur lequel s'adapte hermétiquement un couvercle (2, 22), à la manière d'une boîte de gravure. Le couvercle (2, 22) est pourvu sur son côté supérieur d'une ouverture (5, 25) de passage du liquide corrosif. La boîte de gravure porte au moins deux joints toriques d'étanchéité (7, 8, 27, 28), dont le premier est monté centralement dans le corps de base (3, 23) et l'autre est monté centralement dans le couvercle (2, 22). La galette (10) est serrée entre les joints toriques d'étanchéité (7, 8, 27, 28). Un fil métallique (10) d'un contact à ressort (11, 41) relié à la galette sort de la boîte de gravure par un passage (4) qui traverse le corps de base (3, 23).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)