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1. (WO1992002798) CAPTEUR DE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/002798    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/001049
Date de publication : 20.02.1992 Date de dépôt international : 06.08.1991
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP) (Tous Sauf US).
TAKENAKA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKENAKA, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation, 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/208950 07.08.1990 JP
Titre (EN) PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A pressure sensor for converting a pressure into an electric signal, in which an Si membrane is formed on an Si substrate and a capacitor comprising a piezoelectric thin film is formed on the Si membrane. Further, any element of a resistor, diode and transistor are formed on the main surface of the Si substrate, and the output given from the capacitor is processed by the element on the Si substrate.
(FR)Capteur de pression permettant de convertir une pression en un signal électrique, dans lequel une membrane Si est formée sur un susbtrat Si, et un condensateur comprenant une mince pellicule piézoélectrique est formé sur la membrane Si. En outre, n'importe quel élément d'une résistance, d'une diode et d'un transistor est formé sur la surface principale du substrat Si, et la sortie provenant du condensateur est traitée par l'élément situé sur le substrat Si.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)