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Paramétrages

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1. WO1992002797 - CAPTEUR DE PRESSION

Numéro de publication WO/1992/002797
Date de publication 20.02.1992
N° de la demande internationale PCT/JP1991/001048
Date du dépôt international 06.08.1991
CIB
G01L 9/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
9Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent
CPC
G01L 9/0073
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0072using variations in capacitance
0073using a semiconductive diaphragm
Déposants
  • SEIKO EPSON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TAKENAKA, Kazuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • TAKENAKA, Kazuhiro
Mandataires
  • SUZUKI, Kisaburo
Données relatives à la priorité
2/20894907.08.1990JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION
Abrégé
(EN) A high accuracy pressure sensor for converting a pressure into an electric signal, obtained by making the thickness of at least one part, referred to as an Si membrane, of an Si substrate, thinner than that of the other part, and by forming a capacitor of a piezoelectric thin film on the Si membrane.
(FR) Capteur de pression de précision permettant de convertir une pression en un signal électrique, que l'on fabrique en donnant une épaisseur à au moins une partie appelée membrane Si d'un substrat Si, plus fine que celle de l'autre partie, et en formant un condensateur comprenant une mince couche piézoélectrique sur la membrane Si.
Documents de brevet associés
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