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1. (WO1992002048) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1992/002048    N° de la demande internationale :    PCT/JP1991/000990
Date de publication : 06.02.1992 Date de dépôt international : 24.07.1991
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1 Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP) (Tous Sauf US).
FUJISAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJISAWA, Akira; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Kisaburo; Seiko Epson Corporation, 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163 (JP)
Données relatives à la priorité :
2/195860 24.07.1990 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductor device in which capacitive elements having ferroelectric layers as their substrates are formed, the increase of the density of the elements is possible, because a connection hole is formed on a diffusion layer (102) of a high concentration, and an electrode (107) and a ferroelectric film (108) are deposited thereon, and thereafter they are made to take predetermined shapes simultaneously by a photolithography technique.
(FR)Dans un dispositif à semiconducteur dans lequel sont formés des éléments de condensateur ayant des couches ferro-électriques servant de substrats, il est possible d'augmenter la densité des éléments, grâce à un trou de connexion formé dans une couche de diffusion (102) à forte concentration, sur laquelle on dépose une électrode (107) et un film ferro-électrique (108) auxquels on donne ensuite simultanément des formes prédéterminées par une technique de photolithographie.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)